在設計開關電源時，您可能聽說過電磁干擾（EMI）
越來越多的應用必須通過EMI標準，製造商才獲得商業轉售批准。開關電源意味著器件內部有電子開關，EMI可通過它產生輻射。
本文將介紹開關電源中EMI的來源以及降低EMI的方法或技術。本文還將向您展示電源模組（控制器、高側和低側FET及電感器封裝為一體）如何幫助降低EMI。
開關電源中EMI的來源
首先，必須尊重物理定律。根據麥克斯韋方程組，交流電可產生電磁場。每個電導體中均會出現這種現象，其自身帶有一些可以形成振盪電路的電容和電感。該振盪電路以特定頻率（f=1/(2*π*sqrt(LC))）將電磁能輻射到空間中。該電路充當電磁能的發射器，但也可以接收電磁能並充當接收器。天線設計是為了最大化傳輸或接收能量。
但並非每個應用都應該像天線一樣，而且這種設計可能會產生負面影響。例如，開關降壓電源設計用於將較高的電壓轉換為較低的電壓，但它們同時也充當了（有害的）電磁波發射器，可能干擾其他應用，例如干擾AM頻段。這種效應稱為EMI。
為了確保功能正常運行，最大限度地減少EMI源非常重要。國際無線電干擾特別委員會（CISPR）定義了各種標準，如作為汽車電氣應用基準的CISPR 25，以及針對資訊技術設備的CISPR 22。
如何降低電源設計的EMI輻射呢？一種方法是用金屬完全遮罩開關電源。但在大多數應用中，由於成本和空間的原因，這種方法無法實現。一種更好的方法是減少和優化EMI源。許多文獻已經詳細討論了這一專題；本文推薦了兩種方式。
讓我們回顧一下開關電源中EMI的主要來源，以及為什麼電源模組可以説明您輕鬆降低EMI。
減小佈局中的電流環路
顧名思義，開關電源是用來進行轉換的。它們的作用是以幾百千赫到幾兆赫的頻率打開和關閉輸入電壓。這就導致了快速電流轉換（dI/dt）和快速電壓轉換（dV/dt）。根據麥克斯韋方程組，交流電流和電壓產生交變電磁場。這些電磁場從其原點徑向擴散，它們的強度隨距離而降低。
圖1.來自開關電源的EMI會對負載和主電源產生影響。
圖2.在輸入端、開關和輸入電容器之間形成臨界電流環路。
圖3.減小環路區域有助於降低EMI
磁場和電場會干擾應用的導電部件（例如，印刷電路板[PCB]上的銅跡線，就像天線一樣）並線上路上產生額外的雜訊，這樣又會導致發生EMI（見圖1）。實際上幾瓦功率的轉換就會擴大EMI的輻射範圍。
圖4.引腳排列有助於減小環路面積。左圖：優化的引腳排列；右圖：非優化佈局，幾乎無法形成良好的佈局。
輻射的電磁能與其流過的電流量（I）和環路面積（A）成正比。減小交流電流和電壓環路的面積有助於降低EMI（見圖2和圖3）。
著眼於引腳排列（見圖4）可以幫助您通過減小高dI/dt環路面積來更好地設計良好佈局。例如，開關節點能夠引發高電流變化（dI）和高電壓轉換（dV）。良好的引腳排列可以分離雜訊敏感引腳和雜訊引腳。開關節點和啟動引腳應盡可能遠離雜訊敏感型回饋引腳。此外，輸入引腳和接地引腳應相鄰。這樣便簡化了PCB上的佈線和輸入電容器的放置。
圖5顯示了LMR23630 SIMPLE SWITCHER®轉換器的改進評估模組（EVM）。兩個輸入電容器距離輸入引腳約2.5釐米。之所以如此排列，是為了模擬不良佈局，因為電流環路區域（圖5中的紅色矩形）比資料表所要求和建議的要大。圖5中的橢圓形紅色形狀表示轉換器和電感器之間的開關節點。IC和電感器之間的環路面積越小越好。
圖5.輸入引腳和輸入電容器之間環路面積（紅色矩形）較大的錯誤佈局示例。在IC和電感器之間形成第二個環路區域（橢圓形紅色形狀）。
圖6中的曲線圖顯示了LMR23630轉換器的EMI輻射，其中只有VIN、GND和輸入電容器之間形成的環路面積不同。良好的佈局中電容器盡可能靠近輸入引腳和接地引腳（環路面積盡可能地小）。而不良的佈局中輸入電容器距離輸入引腳2.5釐米，從而形成一個較大的環路面積。
圖6.LMR23630轉換器輸入電容佈局對EMI輻射的影響。
圖6中曲線圖的紅線表示不良佈局的EMI輻射。藍線表示採用相同EVM的良好佈局的EMI輻射。修改一個環路面積會產生巨大的影響。LMR23630轉換器的EMI輻射水準可降低20 dBμV/m以上。
圖7.不同類型電源模組的內部組成。在這兩種情況下，電感器均位於IC晶片的頂部。
因此，在採用降壓轉換器或降壓電源模組進行設計時，如何放置輸入電容器應該是首要考慮因素之一。電源模組還具有以下優點：電感器和IC之間的關鍵環路面積已經過優化。電感器在封裝內部與積體電路連接（見圖7）。這種放置方式會在封裝內部形成一個較小的環路區域。因此，不必將雜訊開關節點佈線在印刷電路板上。
電源模組中遮罩了其中的大多數電感器，以防止來自線圈的電磁輻射。在非常靠近電感器的地方會發生高電流電壓轉換，並且開關節點的一部分電磁場受到遮罩，電感器位於引線框架的頂部（見圖7）。
快速的電壓和電流瞬變
快速瞬變會導致開關節點發生振鈴，從而產生EMI。在某些情況下，轉換器可連接至啟動引腳。將一個電阻器與啟動電容器串聯放置會增加上升時間（dt），在降低EMI的同時損失了效率。
圖8.將啟動電阻器添加到LMR23630轉換器開關節點的影響。EMI輻射較低，但由於開關損耗較高，因此效率有所降低。
圖8顯示了LMR23630 EVM的EMI輻射掃描。對佈局進行更改後，將輸入電容器放在距引腳約2.5釐米遠的位置，以模擬不良佈局，並展示啟動電容器的放置將如何影響EMI特性。在設計中多放一個啟動電容器可能比完全改變佈局更容易。建議您在設計時始終將啟動電容器考慮進去，以備不時之需。如果沒有，您可以使用0Ω電阻器來減少PCB上的空間。
將啟動電阻器與啟動電容器串聯可以降低EMI頻譜。某些頻率範圍中的發射會降低達6dB。圖8還顯示了效率平衡情況。使用30.1Ω的電阻器縮短上升時間dt，從而將效率降低1%以上。
看一下功率損耗就更能說明這一點。滿載（3A）的功率損耗從1.9W增加到2.1W。功率損耗超過10%時,可能會導致散熱問題。
在開關節點引腳和接地引腳之間放置一個小型肖特基二極體可以降低反向恢復電流，從而降低同步轉換器中的開關節點電流振鈴dI，但這樣會提高物料清單（BOM）成本。或者，您可以添加一個緩衝網路，其中包含一個位於開關節點與接地之間的額外的大封裝電容和電阻。緩衝器可消耗開關節點振鈴的能量，但需要知道附加元件的振鈴頻率和正確計算。這種方法同樣會降低開關電源的效率。
電流路徑中的寄生電感和電容
對於同步降壓轉換器，每個IC架構會產生不同強度的雜訊，表現為EMI輻射。但很難從資料表中找到這一項。大多數資料表都沒有提供EMI圖，因為PCB佈局、BOM元件和其他因素會對EMI特性產生影響。幸運的話，EVM使用者指南會提供此特定設計的EMI特性圖。但如果您的設計與EVM的佈局和BOM不匹配，您所設計的應用的EMI特性可能會有很大差異。電源模組簡化了佈局，實現了快速簡便的設計，因為您只需要考慮一些經驗法則。例如，儘量減少接地平面中的跡線或切口數量；必要時，將其設計為與電流方向保持平行（圖9）。
圖9.PCB中的切口和跡線會影響電流，因此也會影響輻射EMI。
保護雜訊敏感節點免受雜訊節點的影響
盡可能縮短雜訊敏感節點，並遠離雜訊節點。例如，從電阻分壓網路到回饋（FB）引腳的長跡線可以充當天線並捕獲電磁輻射干擾的雜訊（圖10）。這種雜訊會被引入FB引腳，致使輸出端產生額外的雜訊，甚至使器件不穩定。在設計開關降壓調節器的佈局時，將這一切都考慮在內是一個挑戰。
|
噪声敏感节点 |
噪声节点 |
|
反馈引脚 |
开关节点 |
|
频率设定 |
电感器 |
|
补偿网络 |
高dI/dt电容器 |
|
传感路径等 |
FET、二极管等 |
表1.降壓轉換器中雜訊敏感節點和雜訊節點的示例。
圖10.始終將FB引腳上的電阻分壓器盡可能靠近FB引腳放置。
模組的優勢在於將雜訊敏感節點和雜訊節點保持在最低限度，從而最大限度地減小錯誤佈局的幾率。唯一要注意的是保持FB引腳的跡線盡可能短。
結論
在開關降壓轉換器中有許多用來調節EMI的旋鈕，但用來實現最佳方案可能還不夠方便。找到最佳配置會花費大量寶貴的設計階段。電源模組早已包括FET和電感器，這就使得創建和完成具有良好EMI特性的電源設計變得簡單而又快捷。使用降壓模組進行設計時最關鍵的一點是一些外部元件的放置方式，這有助於顯著提高EMI特性。
轉換器和電源模組的EMI比較
前文說明了開關電源中EMI的來源以及如何降低EMI。現在，本文將通過比較轉換器和使用相同積體電路（IC）的電源模組之間的測量結果，來演示模組如何説明減輕EMI輻射。兩者均來自TI的SIMPLE SWITCHER產品線，轉換器為LMR23630，電源模組為LMZM33603，採用LMR23630 IC。通過對兩個器件的EVM做部分更改，以獲得相同的BOM數，因此結果僅取決於所選部件（轉換器或電源模組）和佈局。兩種EVM均具有良好的優化佈局。之後，將電容器放置在遠離輸入引腳的位置，就生成了不良佈局。
LMR23630轉換器的性能
圖11.具有不同輸入電容佈局的LMR23630轉換器的EMI輻射。
圖11顯示了不同設計佈局的四種不同EMI頻譜。設計佈局從優至劣排列（類似於圖5，只是把各步驟分開）。第一次測量（良好佈局/藍線）時，未對EVM的佈局做出更改（良好佈局中所有的輸入電容器都非常靠近輸入引腳）。第二次測量（小電容器靠近/紅線）時，兩個4.7μF電容器均放置在距輸入引腳2.5釐米處。0.22μF的小電容器非常靠近輸入引腳。在第三（小電容器遠離/綠線）和第四（無小電容器/紫線）次測量時，小電容器分別距輸入引腳2.5釐米，然後完全移除。
您可以在圖11中看到輸入電容器的放置非常關鍵。將小輸入電容器遠離輸入引腳放置或將其完全移除會違背CISPR 22 A3M級標準。將小電容器靠近輸入引腳放置可以最大限度地減少高頻環路面積。小電容器可濾除高頻雜訊，而較大電容的電容器可濾除低頻雜訊。
電源模組的封裝中通常包含一個小輸入電容器。讓我們看看佈局不良時電源模組的性能。
LMZM33603電源模組的性能
圖12顯示了電源模組的EVM佈局，同樣從優至劣排列。藍線表示未更改EVM的EMI輻射。紅線和綠線表示不良佈局，其中一條線有兩個4.7μF輸入電容器，位於PCB底部下方（紅線）。綠線的電容器距輸入引腳約3.5釐米（圖13中以紅色橢圓形突出顯示）。圖13中的紅色粗線還顯示了更改後的EVM，以及VIN、輸入電容器和接地之間形成的關鍵環路區域。EMI特性變差，但並不違背CISPR 22 A3M級標準。
圖12.TI LMZM33603電源模組的EMI輻射特性
圖13.TI LMZM33603電源模組的不良佈局示例。
電源模組可以補救佈局設計錯誤
圖14在單個圖表中對LMR23630轉換器（紅線）和LMZM33603電源模組（藍線）做出了對比。兩者均有類似的不良佈局，所有外部輸入電容器都遠離輸入引腳。
圖14在單個圖表中對LMR23630轉換器（紅線）和LMZM33603電源模組（藍線）做出了對比。兩者均有類似的不良佈局，所有外部輸入電容器都遠離輸入引腳。
顯然，LMZM33603電源模組的EMI輻射特性要優於LMR23630轉換器。儘管兩種佈局均不完美，但電源模組會通過CISPR測試，而轉換器無法通過測試。
圖14.比較TI LMR23630轉換器和LMZM33603電源模組的EMI特性。
結論
正如前文所說，為開關電源創建良好的佈局設計具有挑戰性。即使是經驗豐富的工程師也容易犯錯，例如輸入電容器的放置位置不當。
電源模組更有利於減少設計佈局錯誤。在滿足EMI特性方面，它們是開關電源的理想選擇，並且對高效利用設計階段至關重要。
如需閱讀創建良好佈局降低EMI的其他文章，請查看應用報告，“DC/DC轉換器中降低EMI的AN-2155佈局技巧”和“AN-643 EMI/RFI電路板設計”。
重要須知：此處所描述的TI股份有限公司及其附屬公司的產品與設備是符合TI標準銷售條款和條件的銷售主體。我們建議客戶在下單前先獲取TI產品及服務的最新最全資訊。TI對應用支援、客戶應用、產品設計、軟體性能以及專利侵權不承擔任何責任。在此對其他公司產品或服務的資訊公開不構成對TI的批准、授權或背書。
平臺標識是商標，SIMPLE SWITCHER是德州儀器的注冊商標。
所有其他商標是其各自所有者的財產。
