評估短路條件下1200 V碳化矽MOSFET 的穩固性
前言：
碳化矽MOSFET 是功率轉換器效率最大化的最佳解決方案嗎？本文探討了最近在 1200 V，80mΩ 碳化矽 MOSFET 上進行的研究，突出了其短路能力。
碳化矽(SiC) MOSFET 具有極高的開關損耗，可最大限度地提高功率轉換器的效率。然而，在確定這些器件是否是用於實際功率轉換應用的實際解決方案時，它們的短路魯棒性一直是討論的主題。
由於相對較小的晶片尺寸，較高的短路電流密度和較小的熱容量意味著碳化矽MOSFET 的短路耐受時間短於類似額定矽IGBT 的短路耐受時間。幸運的是，最近對1200 V，80mΩ 碳化矽 MOSFET 的研究表明，支持更快回應時間的正確柵極驅動設計可以保護碳化矽MOSFET 免受短路損壞。本研究將討論1200 V，80mΩ 碳化矽 MOSFET 的短路能力。從各種操作條件下執行的破壞性測試中收集的結果將被呈現和解釋，以及從應用和設備角度進行設計權衡。此外，本研究的另一部分將各種現成的柵極驅動IC 的性能與去保護功能進行了比較。
圖: 短路測試設置。丙烯酸外殼圍繞測試裝置，以在發生災難性器件故障或爆炸時保護設備和實驗者。
