碳化矽(SiC) 功率MOSFET 受到很多關注，因為它們即可以快速切換，又能同時保持高阻斷電壓。但是它們出色的開關特性也存在潛在的缺點。由不理想的電路板佈局引起的寄生電感，以及碳化矽MOSFET 的快速dv/dt 和di/dt 品質，可能產生電壓和電流過沖，開關損耗和系統不穩定性問題。為了避免這些困難，設計人員必須深入瞭解碳化矽MOSFET 的開關特性。
此外，碳化矽MOSFET 的極快開關速度在標定器件時也存在挑戰。例如，設備選擇會影響測試精度和測量精度。驅動和功率級的高靈敏度設計和集成方案也在實現最小化電壓尖峰，EMI 和開關損耗等方面發揮作用。
