在所有電力電子應用中，功率密度是關鍵指標之一，這主要由更高能效和更高開關頻率驅動。隨著基於矽的技術接近其發展極限，設計工程師現在正尋求寬禁帶技術如氮化鎵(GaN) 來提供方案。
對於新技術而言，GaN 本質上比其將取代的技術( 矽) 成本低。GaN 器件與矽器件是在同一工廠用相同的製造程式生產出。因此，由於GaN 器件小於等效矽器件，因此每個晶片可以生產更多的器件，從而降低了每個晶片的成本。
圖:GaN 經優化實現快速開關
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