前言
憑藉出色的性能，寬頻隙 (WBG) 功率半導體像是碳化矽 (SiC) 或氮化鎵 (GaN)，正在取代傳統占主導地位的矽解決方案，這意味著市場需求已出現轉折。在許多應用場景如手機充電器，尤其得益於 GaN 技術的快速發展。GaN 電晶體不僅提供了比矽電晶體更高的切換速度，而且還降低了大多數MOSFET 必須面對的傳導損耗問題。考慮到手機充電器 AC/DC 轉換所需的源極 ~ 汲極電壓，650 VDS GaN 電晶體顯然是一個比較好的解決方案。因此，一些手機充電器製造商已經在使用 GaN。
與傳統充電器相比，GaN 充電器的體積可以減小一半。為了提高人們對節能和地球氣候變遷的意識，對高效率的要求變得日益重要。儘管 GaN 電晶體具有良好的切換性能，但是市場還是希望能夠進一步提高功率轉換效率。提高效率的方法之一就是採用同步整流 (SR) 代替無源整流器。本文中介紹的 SR 控制器就是一種能夠提高效率的解決方案。
圖 ：二極體整流和 SR 控制器之間的功率轉換效率比較
