當前位置: 主頁 > 技術&應用 >
 

利用矽半導體技術同時實現 小型化和高性能的矽電容

本文作者:ROHM       點擊: 2024-05-17 14:28
前言:
 
市場發展趨勢和開發歷程 
近年來,隨著智慧手機等設備的功能增加和性能提升,對小型、薄型且支援高密度安裝的電容的需求日益增加。特別是採用薄膜半導體技術的矽電容,因其與積層陶瓷電容(MLCC)相比具有厚度更薄、電容量更大,溫度特性更優異、即使在高溫環境下也不容易發生電容量變化等優點,因此預計未來市場需求仍將持續增加。在這種背景下,ROHM利用多年來積累的矽半導體加工技術優勢,開發出小型高性能矽電容“BTD1RVFL”(照片1)。
 
矽電容簡介 
電容是一種蓄電元件,可將電荷儲存在夾在電極與電極之間的稱為“電介質”的可蓄電絕緣體中。使用氧化矽或氮化矽作為電介質的即為矽電容(圖1)。

照片1:矽電容“BTD1RVFL”產品照片(與0.5mm自動鉛筆芯比較)

 

電子郵件:look@compotechasia.com

聯繫電話:886-2-27201789       分機請撥:11