寬能隙半導體將成為 資料中心電源系統的新寵
前言：
資料中心使用的電源轉換系統的典型結構包括多個電壓轉換器，整個資料中心的效率完全取決於這些轉換器。儘管矽(Si)是最知名的技術，但其帶隙比像氮化鎵(GaN)和碳化矽(SiC)這樣的寬能隙(WBG)材料要小，這降低了其工作溫度，限制了其在較低電壓下的使用，並降低了其導熱率。本文詳細介紹了WBG半導體在代替矽元件上的優勢特性，及其在數位中心電源轉換系統中的典型應用。
資料中心在日益數位化、互聯化和虛擬化的世界中發揮著關鍵和重要的作用。由於資料中心有巨大的能源需求，因此需要能夠減少電力損失、提高效率和加強熱控制的電源解決方案。
近年來，由於使用者數量增多，行動裝置和社交網路的廣泛使用，以及資訊在雲端的遠端存放，網際網路的流量有了很大的增長。據分析人士稱，這種流量的增長仍未達到完全飽和。
這些增長預測提出了有關設備效率和電力消耗的問題，這刺激了新的節能電力轉換技術的發展，如寬能隙(WBG)功率元件所提供的技術。
圖1：WBG半導體提供了比矽元件更好的性能。
