簡介
電力電子元件高度依賴於矽(Si)、碳化矽(SiC)和氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)等半導體材料。雖然矽一直是傳統的選擇，但碳化矽元件憑藉其優異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較於矽，碳化矽具備多項技術優勢(圖1)，這使其在電動汽車、資料中心，以及直流快充、儲能系統和光伏逆變器等能源基礎設施領域嶄露頭角，成為眾多應用中的新興首選技術。
什麼是碳化矽Cascode JFET技術？
眾多終端產品製造商已選擇碳化矽技術替代傳統矽技術，基於雙極性接面電晶體(BJT)、接面場效電晶體(JFET)、金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)和絕緣閘雙極電晶體(IGBT)等元件開發電源系統。這些元件因各自特性(優缺點不同)而被應用於不同場景。
圖：安森美碳化矽Cascode JFET元件框圖
