|
ROHM EcoGaN™ Power Stage IC
|
|
影片介紹 :
ROHM結合功率和類比兩種核心技術優勢，開發出集結功率半導體(650V GaN HEMT)和類比半導體(閘極驅動器)於一體的Power Stage IC。該產品可支援更寬的驅動電壓範圍（2.5V～30V），具備支援一次側電源各種控制器IC的性能，可輕鬆替換現有的Si MOSFET。與Si MOSFET相比，元件體積減少約99%，功率損耗降低約55%，同時實現了低損耗和小型化。 ROHM EcoGaN™ Power Stage IC 專頁：https://www.rohm.com.tw/products/gan-... |
