氮化鎵(GaN) 早在上世紀九Ｏ 年代就應用於發光二極體(LED)，如今市場涵蓋光電、功率和射頻(RF) 半導體器件；惟對於高壓半導體來說，碳化矽(SiC) 更具競爭力。雖有傳聞GaN 功率不斷提升可能侵蝕SiC 部分市場，但安森美半導體(ON) 電源方案部產品市場經理王利民並不認同這種說法：「恰恰相反！就功率器件領域來說，坊間已有大量650 V SiC MOSFET ( 金屬氧化物半導體場效電晶體，簡稱MOS) 問市，其實正在蠶食部分GaN 功率器件市場」。
即便如此，氮化鎵在功率器件的成長性依舊看好，只是市場容量遠不如碳化矽。
照片人物:安森美半導體(ON) 電源方案部產品市場經理王利民
