飛思卡爾首度推出商用MRAM技術

本文作者:admin       點擊: 2006-07-11 00:00
前言:
飛思卡爾半導體(NYSE: FSL, FSL.B)日前發表業界首款商用磁阻式隨機存取記憶體(Magnetoresistive Random Access Memory, MRAM)元件,並已投入量產。

飛思卡爾的4百萬位元MRAM產品是一款耐用性極佳的高速非揮發性記憶體,這種高速且耐用的特性組合是任何半導體記憶裝置都無法提供的。該元件係以一百多項飛思卡爾的MRAM專利技術為基礎,其中也包括了交替位元轉換(toggle-bit switching)技術。

Semico Research的Bob Merritt表示:「藉由商用MRAM的推出,飛思卡爾得以挾著這項具備無限可能及深遠影響的技術搶進市場。先前眾家業者急欲搶先推出商用MRAM技術,而這項可觀的成就,可說是對於飛思卡爾工程團隊投入此一領域的高度肯定。」

MRAM將磁性材質與傳統矽晶電路結合,在單一元件中提供具備SRAM速度等級的非揮發性快閃記憶體。飛思卡爾成功推出此項技術的商業應用後,便可促使新一代的電子產品在尺寸、成本、功率消耗及系統性能上獲致重大的進展。

飛思卡爾策略與業務開發資深副總裁兼技術長Sumit Sadana指出:「MRAM研發及製造方面的領先成就,證明飛思卡爾有能力將次世代的半導體技術從實驗室推向市場,以嘉惠客戶,同時也證明飛思卡爾的創新成就,以及致力於提昇業界水準的強烈承諾。」

這款名為MR2A16A的飛思卡爾首創商用MRAM產品,非常適合用於網路、安全、資料儲存、娛樂遊戲及印表機等多種商業應用。該元件在設計上,便是希望成為可靠、經濟的單一元件,以取代使用電池驅動的SRAM裝置。本元件也可用於緩衝記憶體、組態儲存記憶體,以及各種需要高速、彈性及非揮發性MRAM的應用。

關於MR2A16A
MR2A16A是一款適合商用溫度範圍、3.3伏特的元件,其讀寫循環僅需35奈秒。它屬於非同步式記憶體,其結構係以每16位元為一單位、總共256K字。其符合業界標準的SRAM腳位安排,可增加系統設計的彈性、而不會發生匯流排衝突(bus contention)的情形。該元件採用400毫米的TSOP type-II RoHS封裝。其封裝則是在飛思卡爾位於亞利桑那州的Chandler 200毫米晶圓廠完成。

價格與供應方式
飛思卡爾半導體(www.freescale.com)與特定經銷商已經開始供應MR2A16A MRAM,建議零售價為25元美金(以1000顆為訂購單位)。

關於飛思卡爾半導體(Freescale Semiconductor, Inc.) 
飛思卡爾半導體(NYSE代號FSL, FSL.B)為全球知名嵌入式半導體設計與製造領導廠商,其產品應用層面遍及汽車用電子、消費性電子、工業電子、網路電子以及無線網路市場等領域。飛思卡爾半導體過去50多年來均隸屬於摩托羅拉旗下,並於2004年7月正式宣佈上市上櫃,獨立為飛思卡爾半導體公司。飛思卡爾半導體總部位於德州奧斯丁市,其設計、研發、製造和業務等部門分布於全球30多個國家。飛思卡爾名列「標準普爾前五百大企業」(S&P 500®),是全球最大的半導體公司之一,2005年營業額為58億美金。欲知詳情請參考網址:www.freescale.com


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