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ST全新低電壓MOSFET採用STripFET技術

本文作者：admin 點擊： 2004-10-19 00:00

前言：

意法半導體（STMicroelectronics）發佈一系列採用STripFET技術的低電壓N通道MOSFET。新元件是專為超高頻率開關應用所設計，適合電腦主機板與電信等應用。

STripFET 技術使用了最佳化的佈局與全新的製程，能改善閘電荷、閘電阻與輸入電容特性。低的閘電荷可實現更優良的開關性能，而低的閘電阻則意味著更快速的暫態響應。該技術同時可提供更低的優值（figure-of-merit），從而減少傳導及開關損耗。

ST此次發佈的新產品包含有：STS12NH3LL、STSJ50NH3LL、STD55NH2LL、STD95NH02L、STL8NH3LL以及STL50NH3LL。

STS12NH3LL是一款12A、30V的元件。STSJ50NH3LL則是一款50A、30V的元件。兩款元件能在10V時提供標準0.008歐姆的導通電阻，並於4.5V時在導通電阻與閘電荷之間取得良好折衷。兩顆元件均是為電信應用的高頻DC-DC轉換器，以及筆記型電腦的電源管理電路所設計。

STS12NH3LL採用SO-8封裝；STSJ50NH3LL採用PowerSO-8封裝。

STD55NH2LL為55A、24V元件，10V時標準導通電阻為0.01歐姆；4.5V時則為0.012歐姆。該元件是專為高效能DC-DC轉換器所設計，目前有過孔黏著IPAK（TO-251），或表面黏著的DPAK（TO-252）兩種封裝。

STD95NH02L是一款80A、24V元件，10V時標準導通電阻為0.0039歐姆；5V時則為0.0055歐姆。由於閘電荷非常低，因此該元件可在10V條件下展示出136.5nC*Qg的優值（figure-of-merit），為業界之冠。STD95NH02L採用表面黏著的DPAK（TO-252）封裝。

STL8NH3LL和STL50NH3LL採用PowerFLAT^TM

封裝，能提供更好的裸晶－封裝外形比例、更小的尺寸與更低的熱敏電阻。

STL8NH3LL為8A、30V元件，10V時標準導通電阻為0.012歐姆，採用3.3mm x 3.3mm的PowerFLAT^TM

封裝。

STL50NH3LL為27A、30V元件，10V時標準導通電阻為0.011歐姆，採用6mm x 5mm的PowerFLAT^TM

封裝。

以上兩款元件是專為隔離式DC-DC轉換器的同步校正電路，以及降壓轉換器的FET控制所設計。

所有元件現在均可供貨，採購量為300,000顆時，單價為0.285到0.485美元。

想得知更多相關資訊，請查閱：http://www.st.com/stripfet。

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