SILTRONIC 與SOITEC簽署授權協議哂胚MART CUT™ 技術生產SOI與應變SOI晶圓

本文作者:admin       點擊: 2004-02-27 00:00
前言:
 


絕緣層上覆矽(SOI)晶圓與其它半導體生產用工程基板的領導製造商Soitec與半導體產業前三大矽晶圓供應商Siltronic (Wacker Chemie GmbH旗下的矽晶圓部門)今日宣佈簽定Smart Cut 技術的授權合約。這項授權協議讓Siltronic 能哂�Smart Cut 生產各種先進的SOI晶圓以及應變SOI晶圓,協議中包含一項合作計畫,協助雙方加快研發各種應變SOI晶圓。Siltronic 將於2005年為客戶提供採用Smart Cut 技術的bonded SOI晶圓。


 


Siltronic執行長Wilhelm Sittenthaler表示:「快速發展的新科技促使產業轉而需求各種先進材料的應用,以提升元件效能並降低功耗,這也使得SOI成為一項關鍵的發展技術。與全球SOI技術領導廠商的合作,將協助們迅速擴增產品陣容,為們全球客戶提供更多元的先進半導體基板產品。SoitecSmart Cut科技及Siltronic晶圓專業技術的結合,將為兩家廠商及整個產業創造雙贏。」


 


Soitec總裁暨執行長Andre Auberton-Herve評論與Siltronic間的合作時表示:「們很高興能與Siltronic結為夥伴,Siltronic是一家以先進技術開發聞名業界的矽晶圓製造商,這項協議再度展現Smart Cut與智產方案的實力。在業界加快腳步邁向更小的元件尺寸,加上對SOI與應變SOI等先進材料的量產需求持續成長之際,這項協議更加提升了們的技術實力。們有信心這項合作將能順利打開市場,確保全球客戶能獲得可靠的Smart Cut SOI 晶圓貨源。」


 


Auberton-Herve指出,這項協議符合Soitec的長期策略,讓採用Smart Cut技術的SOI晶圓打入主流市場,並擴展兩種獲利來源─一是直接銷售自己的Smart Cut產品,包括Soitec生產數量傲視業界的SOI UNIBOND 晶圓,二是從IP授權中獲利,例如向Siltronic等策略夥伴廠商收取權利金。


 


SOI 與應變SOI


SOI 在晶圓(用來鑄造半導體晶片)的頂層表面以及底部的矽元件(base silicon)之間嵌入一層絕緣材料,能生產出比傳統批次矽元件(bulk silicon)速度更快、功耗更低的元件。應變矽是一種先進的製程技術,透過延長電晶體中矽原子之間的距離,提高電子在經過電晶體時的穿越速度,藉此提高晶片的效能。應變SOI晶圓結合應變矽的各種高速特性以及SOI的各項優勢。目前哂�Smart Cut 技術開發的應變SOI晶圓相容於現有的SOI元件製程。


 


關於Soitec


 


是全球SOI晶圓的頂尖製造商與供應商。Soitec公司總部位於法國Bernin,為IC製造業提供各種先進薄膜基板,其中包括bonded SOI (UNIBOND)以及石英層上覆矽(SOQ)晶圓這些產品均採用SoitecSmart Cut 專利技術。Soitec以「Nouveau Marche」代號,在法國巴黎股市掛牌交易該公司的股票與可轉換公司債(代號分別為ISIN code FR0004025062 – SOI 以及 FR0000182537)其它資訊請參考http://www.soitec.com


 


關於Siltronic


 


Siltronic 是全球超純淨矽晶圓的領導,眾多領先業界的晶片製造商都是其客戶。Siltronic 在歐洲、美國、亞洲及日本等地研發與生產12吋晶圓。超純矽晶圓是許多尖端微電子零組件的基本材料。這些電子零組件應用在電腦、手機、DVD放影機、導航系統、防撞氣囊、磁共振斷層掃瞄、以及飛機控制系統等。詳細資訊請參考www.siltronic.com 

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