內建mLoop技術透過更快的根本原因分析所有電性缺陷以減少數週良率學習時間
KLA-Tencor(NASDAQ: KLAC)近日發表最新一代eS31在線上電子束(e-beam)晶圓檢測系統，該系統使晶片製造商能在65奈米或以下的環境中，滿足各種工程分析與在生產線上監控的高靈敏度檢測需求。eS31哂�KLA-Tencor經過生產測試的23xx亮區檢驗平台以及多項軟硬體改良技術，故其持有成本(CoO)比上一代電子束檢測工具節省6倍。晶片製造商在製程開發週期中可利用eS31提早發現並修正各種電性缺陷，縮短各種先進產品的上市時程，同時監視產品中的電子偏移，藉此達到更高的良率並降低晶圓的成本。
內建mLoop技術節省數週的製程開發時間
eS31 是eS3x系列產品中第一套整合該公司mLoop(“Micro Loop”)專利技術的系統，能及早提供各種影響良率的電性問題，而以往哂秒娦葬槣y工具時則必須花數週的時間才能偵測到。自從KLA-Tencor上一代eS20XP檢測系統問市以來，mLoop已被全球各大晶片製造商所採用，主要是用以加速先進製程的良率學習時間。mLoop哂酶鞣N獨特的電壓對比測試結構，使晶片製造商能找到電性缺陷的確切位置。搭載mLoop技術的eS31能在一個小時內完成整片晶圓的檢測。mLoop的設計目標原本是要加快後段製程(BEOL)的良率學習，但亦能偵測出前段製程(FEOL)中的關鍵性缺陷，例如：poly stringer 能針對SRAM結構提供先進的電性檢測功能，這對於微調光罩改良製程範圍的作業特別有用。
新型缺陷促使業者需要新型檢測解決方案
由於業界逐漸轉移至更小的設計線寬、新式材料的哂靡约案蟮木A尺寸，導致僅能藉由電子束檢測系統才能偵測到的缺陷種類數量大幅增加。在銅質雙重鑲嵌製程中，更小的製程範圍衍生出「銅質空隙」此種新型的藏匿型缺陷 ，且光學檢測系統無法偵測出這類缺陷。像是矽化鈷與矽化鎳等新材料，亦會衍生出各種藏匿型電性缺陷。漏電一直是影響各種先進邏輯元件效能的重要因素，且逐漸受到業者的重視。此外，先進記憶體元件結構中的超高長寬比(>40:1)，亦衍生出對電子束檢測工具的需求，因為光學檢測工具無法偵測到位於這些結構底部蝕刻層下方的缺陷。eS31是專為偵測這類缺陷所設計，且能檢測出其它影響元件電性效能的重要缺陷類型。
基準靈敏度與適產性
eS31提供充裕的靈敏度，能檢測到極小(小於50奈米)的物理缺陷與電壓對比型缺陷。這套系統的延伸光學元件改進資料處理速度以及規則比對的像素合併(RBB)速度，使得eS31的作業流量比其他的電子束檢測工具高出6倍。此外，eS31哂�KLA-Tencor領先業界且為眾多晶圓廠商所採用的亮區檢驗平台，透過共用一套平台的模式，能協助業者降低工具操作員的訓練成本，並簡化程式設定的流程。有別於其他廠商的電子束檢測平台，eS31透過自動化流程簡化參數設定與工具校準作業，使得工程師能專注於實驗設計(DOE)與改進作業流程。
KLA-Tencor副總裁暨電子束檢測部門總經理Paul Marella表示：「自從於10多年前率先開發電子束檢測技術以來，我們一直與顧客密切合作，哂梦覀兊膶I技術協助解決最關鍵的良率問題。eS31提供一套理想的解決方案，使我們的顧客能將65奈米製程從研發導入量產階段，協助他們延續摩爾定律的時程並成為低成本的製造廠商。」
KLA-Tencor(NASDAQ: KLAC)
