全球性半導體製程設備、技術及支援服務供應商--FSI International (Nasdaq代碼：FSII)日前宣布，該公司稱之為PlatNiStrip™的鎳鉑去除製程 (nickel-platinum strip process)已獲得多家全球領先的半導體廠商認可並運用在其65奈米技術的生產製造上。FSI 的PlatNiStrip製程是專為提供半導體廠商在65奈米技術節點建置先進自我對準金屬矽化結構 (salicide formation)而設計的解決方案，自2005年3月推出以來，已廣獲業界青睞。
FSI主席暨執行長Don Mitchell表示﹕「客戶對於我們能快速在他們的生產製造上建置此ㄧ製程的能力極為肯定，因此紛紛採用鎳鉑去除製程以生產65奈米產品。而在現有FSI平台上持續提供並協助客戶快速建置各種先進製程能力，更進一步強化了我們在表面處理領域中所扮演之技術領導廠商與提供最佳價格效能比合作夥伴的角色。」
半導體廠商可藉由添加少量的鉑以增加矽化鎳薄膜的熱穩定性；然而，傳統的去除未反應鎳金屬(unreacted nickel)方法並無法有效的選擇去除未反應鉑金屬，因而導致晶圓表面會出現鉑殘留物。FSI的PlatNiStrip製程是一種就地混合 (point-of-use blended) 酸性溶液，它能同時去除鎳和鉑而沒有任何殘留物，對於矽化物、氧化物和氮化物也具備高選擇性，使得矽化鎳鉑薄膜的整合得以實現。
根據晶圓廠的資料顯示，在採用PlatNiStrip 製程以去除鎳鉑之後，客戶產品的效益表現獲得了重大的改進，包括較低且更均勻分布的表面電阻率。若導入標準的ZETA® Spray Cleaning System 設備，並搭配業界標準化合物使用，則可讓此一製程達到最佳價格效能比。
ZETA設備專為前段與後段90奈米及其以下製程的8吋和12吋晶圓批次噴霧式清洗而設計，這套設備採用離心噴霧技術並結合多用途化學物質輸送技術，在充分控制成份與溫度的環境下完成化學物質的準備以直接配送至晶圓表面。ZETA設備已證明能夠支援各種應用，包括自我對準金屬矽化結構的Co與Ni蝕刻、光阻去除與電漿灰化後清洗、非超音波微粒去除以及晶圓回收等。
FSI主席暨執行長Don Mitchell表示﹕「客戶對於我們能快速在他們的生產製造上建置此ㄧ製程的能力極為肯定，因此紛紛採用鎳鉑去除製程以生產65奈米產品。而在現有FSI平台上持續提供並協助客戶快速建置各種先進製程能力，更進一步強化了我們在表面處理領域中所扮演之技術領導廠商與提供最佳價格效能比合作夥伴的角色。」
半導體廠商可藉由添加少量的鉑以增加矽化鎳薄膜的熱穩定性；然而，傳統的去除未反應鎳金屬(unreacted nickel)方法並無法有效的選擇去除未反應鉑金屬，因而導致晶圓表面會出現鉑殘留物。FSI的PlatNiStrip製程是一種就地混合 (point-of-use blended) 酸性溶液，它能同時去除鎳和鉑而沒有任何殘留物，對於矽化物、氧化物和氮化物也具備高選擇性，使得矽化鎳鉑薄膜的整合得以實現。
根據晶圓廠的資料顯示，在採用PlatNiStrip 製程以去除鎳鉑之後，客戶產品的效益表現獲得了重大的改進，包括較低且更均勻分布的表面電阻率。若導入標準的ZETA® Spray Cleaning System 設備，並搭配業界標準化合物使用，則可讓此一製程達到最佳價格效能比。
ZETA設備專為前段與後段90奈米及其以下製程的8吋和12吋晶圓批次噴霧式清洗而設計，這套設備採用離心噴霧技術並結合多用途化學物質輸送技術，在充分控制成份與溫度的環境下完成化學物質的準備以直接配送至晶圓表面。ZETA設備已證明能夠支援各種應用，包括自我對準金屬矽化結構的Co與Ni蝕刻、光阻去除與電漿灰化後清洗、非超音波微粒去除以及晶圓回收等。
