為了加速在 65-nm 和 45-nm 節點的晶體創新，KLA-Tencor (NASDAQ:KLAC) 於今日正式推出 eS32—再次將其領先市場之電子光束檢測平台延伸至另一境界。eS32 具有業界最廣泛的細微電子與小型物理缺陷的捕獲能力，使得晶圓廠可以將許多新的物質與裝置架構整合至大量生產中。
eS32 是 KLA-Tencor 下一代的檢測解決方案，並成為這套解決新產生技術節點之完整檢測系統的基礎。eS32 還利用先進的特色與功能設定新的效能標準，以加速在前段製程 (FEOL) 與後段製程 (BEOL) 應用中，分類與影響良率之缺陷的偵測與解決。
解決 BEOL 和 FEOL 中新的良率問題的挑戰
KLA-Tencor 的 eS30 和 eS31 在協助尖端晶片代工廠克服 130-nm 和 90-nm 技術節點中與銅有關的 BEOL 良率挑戰中，扮演極為重要的角色。而其新一代的 eS32 產品同樣也突破了 65-nm 和更小節點的障礙。除了提供業界認可的 BEOL 解決方案以外，eS32 還提供了廣泛的成像條件，它是捕獲影響良率且不斷增加的 FEOL 瑕疵種類數目的利器。時至今日，由於電子光束檢測系統已能夠提供快速回饋，因此邏輯製造商已可找出並克服整合式鎳矽化物 (NiSi) 中的 FEOL 問題，並將進入其中的矽過濾出來。此外，eS32 的架構在設計時便是要解決晶圓廠在不斷創新以滿足裝置速度和功率消耗的考量時，可能會遇到的良率問題挑戰。
DRAM 製造商面臨產品生命週期縮短的問題，因此有越來越多的製造商專注於將新的工藝立即投入大量生產當中。由於這些製造商使用日益增加的小型電池，他們面臨了關鍵FEOL 以及相互連接的挑戰—從檢測較高的高寬比填孔和電容器，到解決小型物理缺陷日益增加的良率影響。eS32 有助於快速找出影響 DRAM 製造商的關鍵缺陷機制。
「具備與客戶合作所獲得的廣泛知識以及我們對於應用豐富的專業知識，我們將全力發展先進的解決方案，協助我們客戶成功創新技術並維持高度競爭力」晶片檢驗小組的小組副總裁表示：「eS32 持續我們前幾代的電子光束檢測工具的領導優勢，重申我們對於幫助客戶成功的承諾。」
快速偵測新產生的缺陷類型
eS32 在物理與電壓對比敏感度方面已經有重大的提昇，將能以更快的時間找出根源。沉積能量範圍已經擴充以增強細微的刻蝕不足接觸缺陷的捕獲能力。已經設計出新的光束電流和掃描靈活性選項，用於電阻性高的物質，以及捕獲與 NiSi 和過濾出來的矽整合有關、而且不斷增加的細微深度缺陷。在密集、高寬比架構中，對於小型物理缺陷的捕獲能力已經透過增加小型像點獲得改善。為了協助晶圓廠加速根源分析，並且找出及解決新的分類缺陷機制，eS32 還加入了先進的 binning 演算法。
eS32 也支援 KLA-Tencor 專利的 MicroLoop™ 方法，該方法經業界認可能夠加快良率學習速度達百分之五十。
以最有效的方式進行大量生產
由於將注意力集中在透過不斷增強功能以保護投資的資金，因此 eS32 已成為業界認可的產品平台的一部份。eS32 還提供優秀的生產能力與擁有成本，使得晶圓廠能夠更有效地監控其生產線在關鍵步驟時的運作狀態。增強的易用功能 (例如成像條件的自動校準功能) 可以讓系統能夠快速及順利地整合至生產中。因此，缺陷工程師在工具
設定或優化問題方面花費的時間減少，因此有更多的時間能夠實行與開發獨特的應用程式。
eS32 的大量出貨正在進行中。從 2 月 21 日到 2 月 22 日，在加州聖荷西市的 San Jose Convention Center 將舉辦 SPIE Microlithography 2006 (攤位 1013)，而KLA-Tencor 將展示包括 eS32 等最新的良率管理與工藝控制產品。
eS32 是 KLA-Tencor 下一代的檢測解決方案，並成為這套解決新產生技術節點之完整檢測系統的基礎。eS32 還利用先進的特色與功能設定新的效能標準，以加速在前段製程 (FEOL) 與後段製程 (BEOL) 應用中，分類與影響良率之缺陷的偵測與解決。
解決 BEOL 和 FEOL 中新的良率問題的挑戰
KLA-Tencor 的 eS30 和 eS31 在協助尖端晶片代工廠克服 130-nm 和 90-nm 技術節點中與銅有關的 BEOL 良率挑戰中，扮演極為重要的角色。而其新一代的 eS32 產品同樣也突破了 65-nm 和更小節點的障礙。除了提供業界認可的 BEOL 解決方案以外，eS32 還提供了廣泛的成像條件，它是捕獲影響良率且不斷增加的 FEOL 瑕疵種類數目的利器。時至今日，由於電子光束檢測系統已能夠提供快速回饋，因此邏輯製造商已可找出並克服整合式鎳矽化物 (NiSi) 中的 FEOL 問題，並將進入其中的矽過濾出來。此外，eS32 的架構在設計時便是要解決晶圓廠在不斷創新以滿足裝置速度和功率消耗的考量時，可能會遇到的良率問題挑戰。
DRAM 製造商面臨產品生命週期縮短的問題，因此有越來越多的製造商專注於將新的工藝立即投入大量生產當中。由於這些製造商使用日益增加的小型電池，他們面臨了關鍵FEOL 以及相互連接的挑戰—從檢測較高的高寬比填孔和電容器，到解決小型物理缺陷日益增加的良率影響。eS32 有助於快速找出影響 DRAM 製造商的關鍵缺陷機制。
「具備與客戶合作所獲得的廣泛知識以及我們對於應用豐富的專業知識，我們將全力發展先進的解決方案，協助我們客戶成功創新技術並維持高度競爭力」晶片檢驗小組的小組副總裁表示：「eS32 持續我們前幾代的電子光束檢測工具的領導優勢，重申我們對於幫助客戶成功的承諾。」
快速偵測新產生的缺陷類型
eS32 在物理與電壓對比敏感度方面已經有重大的提昇，將能以更快的時間找出根源。沉積能量範圍已經擴充以增強細微的刻蝕不足接觸缺陷的捕獲能力。已經設計出新的光束電流和掃描靈活性選項，用於電阻性高的物質，以及捕獲與 NiSi 和過濾出來的矽整合有關、而且不斷增加的細微深度缺陷。在密集、高寬比架構中，對於小型物理缺陷的捕獲能力已經透過增加小型像點獲得改善。為了協助晶圓廠加速根源分析，並且找出及解決新的分類缺陷機制，eS32 還加入了先進的 binning 演算法。
eS32 也支援 KLA-Tencor 專利的 MicroLoop™ 方法，該方法經業界認可能夠加快良率學習速度達百分之五十。
以最有效的方式進行大量生產
由於將注意力集中在透過不斷增強功能以保護投資的資金，因此 eS32 已成為業界認可的產品平台的一部份。eS32 還提供優秀的生產能力與擁有成本，使得晶圓廠能夠更有效地監控其生產線在關鍵步驟時的運作狀態。增強的易用功能 (例如成像條件的自動校準功能) 可以讓系統能夠快速及順利地整合至生產中。因此，缺陷工程師在工具
設定或優化問題方面花費的時間減少，因此有更多的時間能夠實行與開發獨特的應用程式。
eS32 的大量出貨正在進行中。從 2 月 21 日到 2 月 22 日，在加州聖荷西市的 San Jose Convention Center 將舉辦 SPIE Microlithography 2006 (攤位 1013)，而KLA-Tencor 將展示包括 eS32 等最新的良率管理與工藝控制產品。
