KLA-Tencor發表了其下一代的光罩檢測系統STARlight-2™，為晶圓廠提供業界最符合成本效益的污染檢測解決方案，可針對所有光罩類型進行檢測，包括 65 奈米節點及以下的主流極端顯影增效技術 (XRET) 光罩。與上一代與業界標準的 STARlight (1993 年推出) 相比，它進行檢測的方式是運用創新的影像處理技術。
自STARlight推出以來, 已有將近 160 套與 175 套的該類系統分別為全球
的晶元廠和光罩廠提供服務。該系統的增强檢測能力是特別針對顯影時光罩上的衍生物所設計 - --- 此增長性的衍生物會漸漸影響晶元的良率, 還有產品的可靠性問題。擁有 STARlight-2 之後，晶圓代工慶就能夠實行高效率、而且符合成本效益的光罩再定檢策略，使他們能夠透過在先進顯影製程中維持製程視窗最大化， 進而逹到最高的生產良率。
今日在製程方面的挑戰包括的不只是零良率的發生狀況。晶圓廠已面臨良率逐漸下降的挑戰，使其無法獲得最高效能與利潤部份。光罩上的結晶、薄霧和其他進階缺陷都會造成此問題逐步擴大，而對此問題目前沒有完全解決的方案。這些衍生的污染是由光罩廠與晶圓廠內環境的各種成份所形成。經過一段時間，它們會隨著光罩持續的顯影曝光而成倍數增加，因而一再地減少顯影製程視窗。這種現象會增加設備不符合效能規格要求的風險，同時會產生嚴重的可靠性問題。193 奈米顯影與 300 mm 晶圓處理的組合進一步惡化了進階缺陷，因為光罩在較高的能源下且須容忍較長時間的曝光—因此為這些污染物創造了理想的生存環境。除了在顯影製程視窗受損之前將這些缺陷找出以外，STARlight-2 的創新設計還提供額外的能力以符合 65 奈米設計的挑戰，包括新的 XRET 策略以及綫寛密度的增加。
擁有 STARlight-2 之後，客戶將不會被迫需要依賴其他的再鑒定策略，冒著晶片良率的風險或導致不必要的重製與產品時程的延遲。其較小的點像尺寸 (125 奈米和 90奈米) 提供了以最小的圖樣功能在裝置層中檢測光罩污染所需的解析度與敏感度，避免污染影響製程視窗或甚至污染印在晶圓上的狀況。STARlight-2 改良的演算法也使得污染檢測能夠在高密度的圖樣區域上進行 (一般而言污染都是在 XRET 光罩上發現的)，而其全區現場檢測能力也可以允許在光罩的圖形外框與切割道中進行檢測 (進階缺陷一般會在此處出現) 以及 single-die 和 multi-die 光罩上。以上這些能力都將能夠達成，並且仍然維持 KLA-Tencor 上一代 STARlight 平台的基準速度。
自STARlight推出以來, 已有將近 160 套與 175 套的該類系統分別為全球
的晶元廠和光罩廠提供服務。該系統的增强檢測能力是特別針對顯影時光罩上的衍生物所設計 - --- 此增長性的衍生物會漸漸影響晶元的良率, 還有產品的可靠性問題。擁有 STARlight-2 之後，晶圓代工慶就能夠實行高效率、而且符合成本效益的光罩再定檢策略，使他們能夠透過在先進顯影製程中維持製程視窗最大化， 進而逹到最高的生產良率。
今日在製程方面的挑戰包括的不只是零良率的發生狀況。晶圓廠已面臨良率逐漸下降的挑戰，使其無法獲得最高效能與利潤部份。光罩上的結晶、薄霧和其他進階缺陷都會造成此問題逐步擴大，而對此問題目前沒有完全解決的方案。這些衍生的污染是由光罩廠與晶圓廠內環境的各種成份所形成。經過一段時間，它們會隨著光罩持續的顯影曝光而成倍數增加，因而一再地減少顯影製程視窗。這種現象會增加設備不符合效能規格要求的風險，同時會產生嚴重的可靠性問題。193 奈米顯影與 300 mm 晶圓處理的組合進一步惡化了進階缺陷，因為光罩在較高的能源下且須容忍較長時間的曝光—因此為這些污染物創造了理想的生存環境。除了在顯影製程視窗受損之前將這些缺陷找出以外，STARlight-2 的創新設計還提供額外的能力以符合 65 奈米設計的挑戰，包括新的 XRET 策略以及綫寛密度的增加。
擁有 STARlight-2 之後，客戶將不會被迫需要依賴其他的再鑒定策略，冒著晶片良率的風險或導致不必要的重製與產品時程的延遲。其較小的點像尺寸 (125 奈米和 90奈米) 提供了以最小的圖樣功能在裝置層中檢測光罩污染所需的解析度與敏感度，避免污染影響製程視窗或甚至污染印在晶圓上的狀況。STARlight-2 改良的演算法也使得污染檢測能夠在高密度的圖樣區域上進行 (一般而言污染都是在 XRET 光罩上發現的)，而其全區現場檢測能力也可以允許在光罩的圖形外框與切割道中進行檢測 (進階缺陷一般會在此處出現) 以及 single-die 和 multi-die 光罩上。以上這些能力都將能夠達成，並且仍然維持 KLA-Tencor 上一代 STARlight 平台的基準速度。
