Surface Technology Systems發佈針對MEMS IC量產所開發的300mm DRIE電漿源

本文作者:admin       點擊: 2006-09-14 00:00
前言:
將電漿製程科技運用在MEMS(微機電系統)與先進電子設備之製造和封裝的巨擘Surface Technology Systems plc (STS),在台灣半導體設備暨材料展會場中宣佈,將開發一項新的深反應離子蝕刻(DRIE)電漿源。該系統將與大量製造矽基積體電路(ICs)時,所通常使用的300mm矽晶片有高度的相容性。

DRIE加工法是由德商Robert Bosch GmbH所發明、STS所開發的一項重要矽基微細加工技術,該加工法在MEMS的製造過程中已有長達十年的歷史。隨著電路的越漸複雜及裝置速度的提升,產業需求逐漸傾向於將細薄的晶片採用堆疊方式,而非將所有的功能組件都整合於一顆平面的系統單晶片(SoC)中。當堆疊晶片的數量逐漸增加以及輸出入(I/O)數增加時,焊線法就變得越來越複雜以及昂貴,而層間互連法則在這方面有其他優勢,包括減少所需的晶片面積、縮短互連距離,且可以將導孔放置於晶片內而非晶片邊緣。

隨著2005年Pegasus DRIE來源的推出,STS便比其他傳統的DRIE系統明顯地展示了更高的晶片蝕刻率,使層間互連法更加地吸引IC製造商,也為300mm平台帶來了同等處理能力的需求。

STS技術長Leslie Lea解釋道:「當MEMS業界的客戶還仍舊專注於150mm或200mm的晶片加工時,大多數的主流半導體製造商早已為了降低晶片成本而轉移到300mm的晶片使用上。因此,為滿足這些客戶的需求我們決定開發新的蝕刻工具。我們可期待STS將為那些使用300mm晶片的客戶提供最前沿的解決方案。」

「我們致力於業務的擴展,以及將所擁有的矽晶深蝕刻技術之深度知識利用在新的大量運用方式上,例如先進的IC製造」STS執行長John Saunders補充道。「如果我們能夠在主流市場中,充分開發我們在矽晶蝕刻之技術領導地位上的潛能,這項新的300mm電漿源將成為我們所能夠提供產業的一項必要元件。」


關於Surface Technology Systems plc (STS)

STS設計並生產一系列結合創新技術之專門系統設備,應用範圍遍及半導體與相關設備之製造。此外,STS也是處理非「主流」半導體設備之電漿蝕刻與沉積技術之龍頭。STS在電信、資料儲存、先進封裝、MEMS與奈米科技等新興領域,均提供一系列之應用。

STS在日漸成長的MEMS市場之矽晶深層蝕刻領域居於領先地位,提供具有專利保護之技術。此外,STS在其他提供服務的市場中也佔有顯著地位,並透過經驗卓著之銷售與服務部門,為全球各地之客戶提供製程解決方案。STS集團目前經營領域遍及全世界30多國,所安裝之系統超過850部。如欲了解更多關於STS之詳情,請瀏覽:http://www.stsystems.com。 

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