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美國國家半導體推出超薄晶片封裝

本文作者:admin       點擊: 2004-06-16 00:00
前言:




先進晶片技術的市場領導者美國國家半導體公司 (National Semiconductor Corporation) (美國紐約證券交易所上市代號:NSM)宣佈推出全球最薄的積體電路封裝。採用這些全新 Micro SMD 及 LLP 封裝的美國國家半導體晶片產品,厚度比四張疊在一起的普通紙張還薄,OEM 廠商只要採用這些超薄的晶片產品,便可生產外型更輕薄短小的行動電話、顯示器、MP3播放機、個人數位助理(PDA)及其他可攜式電子產品。




 




這幾種只有 0.4 mm 厚的全新超薄型封裝今日隨著美國國家半導體的全新類比放大器產品的推出而正式問世。預定在2004 年下半年推出的美國國家半導體無線通訊晶片產品也會改用這幾種封裝。按照該公司的計劃,可攜式電源管理晶片產品也將會陸續改用這幾種超薄封裝。美國國家半導體這幾種新封裝有兩種不同的互連線路可供選擇,其中一種採用含有錫鉛成分的傳統原料,而另一種則採用完全不含鉛的先進原料。




 




美國國家半導體中央技術及生產部執行副總裁 Kamal Aggarwal 表示:「美國國家半導體推出超薄封裝技術,使消費者即時受惠。OEM 客戶只要利用我們的產品,便可開發市場上最輕薄短小而又別具特色的可攜式電子產品。」




 




韓國著名的麥克風製造商 BSE Corporation 的技術總監 Dan C. Song 表示:「BSE 採用美國國家半導體的超薄封裝放大器開發麥克風產品,不但成功提高麥克風的靈敏度,而且還大幅改善聲音效果並有效縮小產品體積。 美國國家半導體的超薄晶片產品最適合行動電話及其他通訊設備採用。」




 




美國國家半導體一直致力於開發創新先進的晶片封裝技術,成績有目共睹




 




這些最新的超薄封裝由美國國家半導體的工程師所開發,該公司設於美國加州聖克拉及馬來西亞麻六甲的晶片廠是負責研發這種新封裝技術的中心。對於採用傳統表面貼著拾放設備的 OEM 廠商來說,這些封裝最適合他們採用。美國國家半導體這些最新的封裝採用晶片生產過程中所必須的先進製程技術、焊接技術、底邊研磨、引線框架設計以及引線焊接技術。美國國家半導體封裝技術部總監 Sada Patil 表示:「過去四年來,美國國家半導體利用多種創新的設計及製程技術將封裝的厚度縮小了 60%,並為此成功取得多項專利。」




 




封裝技術是半導體生產過程中的關鍵環節。美國國家半導體每年生產數十億顆晶片,所採用的封裝多達 70 多種。美國國家半導體擁有 260 多項有關封裝技術的專利,而且每年約有 30 種新的封裝技術取得專利。美國國家半導體多年前推出創新的 micro SMD 及 LLP 封裝技術,此後便一直在研發創新封裝技術方面居領導地位。




 




美國國家半導體的 micro SMD CSP 封裝採用 4 至 36 塊焊墊,而 LLP 封裝則採用 6 至 80 條引線,以確保客戶有更多選擇。 Micro SMD 及 LLP 封裝擁有很多大受 OEM 廠商歡迎的優點,例如體積小巧、電子/熱能/濕度等方面的靈敏度明顯提高、雜訊以及更簡便的電路板裝配工序。美國國家半導體計劃在 2004 年推出薄至只有 0.3 及 0.2 mm 並採用多達 100 塊焊墊的封裝。




 




採用超薄封裝的美國國家半導體全新放大器晶片:主要技術規格簡介




 




LMV1032 是美國國家半導體的全新超薄型聲頻放大器系列,適用於體積小巧的駐極體麥克風,可取代目前普遍採用的接面場效應電晶體 (JFET) 前置放大器。由於採用 LMV1032 晶片的駐極體麥克風加設了第三條接腳,因此可大幅降低供電電流,這方面來說比採用 JFET 的駐極體麥克風優勝。LMV1032 系列放大器最適合需要維持較長電池壽命的可攜式電子產品採用,例如數位相機及 MP3 機。由於採用 LMV1032 晶片的麥克風可將供電電流減至只有 60 µA,因此有助延長系統的電池壽命。




 




LMV1032 系列晶片保證可在 1.7 伏 (V) 至 5 伏之間的供電電壓範圍內作業,並有 6 dB、15 dB 及 25 dB 等三種不同的固定電壓增益可供選擇。這系列晶片在語音頻寬範圍內的輸出阻抗較低,電源供應抑制率 (PSRR) 也較高,而且即使在較大的溫度範圍內仍可穩定作業。這系列晶片採用小巧的 4 焊墊超薄 micro SMD 不含鉛封裝。




 




美國國家半導體也推出 LMV1012UP 晶片,這是大受市場歡迎的“麥克風放大器”的超薄版。這款全新的 LMV1012UP 晶片是市場上首款直接整合在 2 線及 3 線駐極體電容器麥克風之內的麥克風放大器。由於這系列放大器具有較長電池壽命及更高的抗雜訊干擾能力,因此有助提高麥克風的效能,預計這系列放大器的推出會淘汰 JFET 放大器。這系列產品最適用於手機和手機配件的麥克風以及其他可攜式麥克風產品。




 




如欲進一步查詢有關美國國家半導體的先進封裝技術,歡迎瀏覽 http://www.national.com/packaging/ http://www.national.com/appinfo/amps/microphone.html網頁。




 




美國國家半導體的網上圖片資料室備有這幾種全新超薄晶片封裝的高解析度相片以供下載,該圖片資料室的網址為 http://www.national.com/company/pressroom/gallery/oa.html

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