ST與Siliconix就新型雙面冷卻型MOSFET封裝技術達成授權協議

意法半導體（ST；NYSE：STM）與Siliconix公司（NASDAQ：SILI）日前宣佈達成一項合作協議，ST將由Siliconix獲得最新功率MOSFET封裝技術的授權，這項技術使用強制性空氣冷卻方法，透過元件頂端與底部的散熱路徑供了更優良的熱效能。Siliconix為Vishay Intertechnology公司（NYSO：VSH）持有80.4%股權的子公司。

Siliconix提供的技術名為PolarPAK™，這種封裝技術的導線架與塑料封膠（plastic encapsulatio）都與標準功率MOSFET封裝所使用的類似，能良好地保護裸晶，而且在製造過程中也很容易管理。與標準SO-8封裝相比，PolarPAK封裝的散熱效率更高，在相同尺寸封裝內可處理兩倍電流。

“隨著DC/DC轉換器體積不斷微縮，將對PCB上各種元件的散熱問題帶來更大挑戰，”ST功率MOSFET部門經理Ian Wilson表示。“封裝技術的提升需要矽片技術的改良來推動。PolarPAK封裝技術擁有極佳的熱處理能力，讓組裝技術呈現了極大的躍進，能讓設計人員強化效能與功率密度。這種封裝技術將與ST針對電腦、數據傳輸與電信應用之功率轉換所開發的STripFETTM MOSFET系列形成完善的互補。”

“透過與Siliconix的合作，我們將進一步擴大市場對這種能實現低成本解決方案之新型封裝技術的市場接受度，”ST微控制器、線性與分離式產品部門副總裁暨總經理Carmelo Papa說。“ST正積極拓展電腦與電信市場，我們希望透過持續的創新，在此一領域成為更具影響力的領導廠商。”

“Siliconix的功率MOSFET創新技術包含了業界首創的溝槽式功率MOSFET，以及大程度擴增功率密度與熱性能的多種封裝類型，”Vishay主席、技術長兼事業開發部主管Felix Zandman博士，以及Vishay總裁暨執行長Gerald Paul博士說。“PolarPAK是Siliconix與Vishay在技術開發上的重大里程碑，我們對於與ST簽署的協議感到非常高興。”

“與ST簽署這項協議，意味著我們正朝著將PolarPAK推動成為業界標準封裝技術的方向邁進了一大步，該技術能為客戶提供靈活的多來源設計解決方案，”Siliconix總裁暨執行長King Owyang博士表示。“我們很高與，像ST這樣的半導體產業領導廠商也認為PolarPAK將為廣泛的功率MOSFET應用帶來更多效益。”

透過優異的熱效能並減少相關封裝損耗，5mm x 6mm的PolarPAK封裝技術將讓設計人員以更少的元件開發出更小、更精巧的電路設計。這種封裝的高度僅有0.8mm，是SO-8的一半，能進一步減小終端產品的體積。