ST意法半導體宣佈該公司成功地採用CMOS 45nm 射頻 (RF)製程技術製造出第一批funcational device。 這項先端技術對於下一代WLAN應用產品將會是很必要的。
這些原型系統晶片(SoC)是採用 300mm 晶圓在ST法國Crolles廠製造的，整合了從檢測RF信號到輸出用於作信號處理的數位資料的全功能鏈。 這些原型系統晶片具有最先進的性能和最高的密度 (在0.45mm2的面積內整合了低噪音放大器、混頻器、類比數位轉換器和濾波器, 可工作在1.1V)。
ST的半導體成就可歸功於其開發CMOS RF衍生技術及強化其採用45nm和32nm技術節點製造單晶片行動解決方案能力的公司策略。 此成就還可歸功於ST先進的 45nm CMOS RF衍生技術與其領先全球的RF設計、模擬和特徵分析的專業能力。 衍生技術是在標準CMOS核心技術平台作proprietary modifications，進而為特定應用領域提供附加功能。 ST的類比/射頻衍生技術可將電阻、電容和電感等被動元件與高性能、高密度的數位邏輯功能元件整合在一起。
「第一批晶片的測試結果充分證明，我們的45nm 射頻衍生技術能夠提供下一代WLAN的解決方案。」意法半導體Advanced R & D – High Performance Logic & Derivatives的Front-End Technology and Manufacturing部門副總裁Mike Thompson表示，「透過整合專有的製造程序，使成品晶片能夠具有多種應用功能，如整合性的射頻/類比功能或各類嵌入式記憶體功能，這項45nm 射頻製程技術顯示ST能夠為核心CMOS平台帶來附加價值。」
這些原型系統晶片(SoC)是採用 300mm 晶圓在ST法國Crolles廠製造的，整合了從檢測RF信號到輸出用於作信號處理的數位資料的全功能鏈。 這些原型系統晶片具有最先進的性能和最高的密度 (在0.45mm2的面積內整合了低噪音放大器、混頻器、類比數位轉換器和濾波器, 可工作在1.1V)。
ST的半導體成就可歸功於其開發CMOS RF衍生技術及強化其採用45nm和32nm技術節點製造單晶片行動解決方案能力的公司策略。 此成就還可歸功於ST先進的 45nm CMOS RF衍生技術與其領先全球的RF設計、模擬和特徵分析的專業能力。 衍生技術是在標準CMOS核心技術平台作proprietary modifications，進而為特定應用領域提供附加功能。 ST的類比/射頻衍生技術可將電阻、電容和電感等被動元件與高性能、高密度的數位邏輯功能元件整合在一起。
「第一批晶片的測試結果充分證明，我們的45nm 射頻衍生技術能夠提供下一代WLAN的解決方案。」意法半導體Advanced R & D – High Performance Logic & Derivatives的Front-End Technology and Manufacturing部門副總裁Mike Thompson表示，「透過整合專有的製造程序，使成品晶片能夠具有多種應用功能，如整合性的射頻/類比功能或各類嵌入式記憶體功能，這項45nm 射頻製程技術顯示ST能夠為核心CMOS平台帶來附加價值。」
