美國國家半導體推出極高雜訊容限 M-LVDS 收發器系列

本文作者:admin       點擊: 2006-07-17 00:00
前言:
高速介面晶片的主要供應商美國國家半導體公司 (National Semiconductor Corporation) (美國紐約證券交易所上市代號:NSM) 宣佈推出四款符合 EIA/TIA-899 M-LVDS 標準的多點低電壓差動訊號傳輸 (M-LVDS) 線路驅動器及接收器。 

美國國家半導體這四款型號分別為 DS91C176、 DS91D176、 DS91C180 及 DS91D180 的全新收發器晶片擁有卓越的驅動能力,能以高達 100MHz 的時鐘頻率及高達 200Mbps 的資料傳輸率驅動高達 32 個負載。美國國家半導體這幾款 M-LVDS 收發器是專為利用公共匯流排連接多個驅動器及接收器的多點匯流排系統而設計,其特點是邊緣速率均勻,而且速度高低可加以控制,加上輸出獲得更好的回授支援,因此在多種不同的負載情況下,其振幅都能保持恆定。由於這幾款晶片都具備這些優點,因此可確保頻率高達 100MHz 的基架有最高的雜訊容限。 

根據 ATCA 標準的規定,M-LVDS 晶片是驅動基架同步時鐘的標準介面。美國國家半導體這幾款全新晶片的優點是可以透過 ATCA 平台或其他多點基架發送時脈。 

這幾款 M-LVDS 收發器除了驅動能力有所提高之外,還有可予以控制的 2ns 邊緣速率 (典型值),因此可以將訊號反射及電磁干擾減至最少,並改善沒有加設終端裝置的基架殘段走線的容許度。這幾款收發器的通用模式範圍也非常廣闊,確保負載較大及雜訊較多的基架有更高的雜訊容限。 

美國國家半導體新推出的每一款 M-LVDS 晶片都經過嚴格的測試,測試用的基架完全符合 ATCA 標準,而同一基架先後採用各式各樣及無載的插卡分別進行測試。此外,除了配置不同之外,不同的頻率及殘段走線長度對晶片的影響也經過嚴格的測試。換言之,部分配置採用輕載資料的插卡,而部分配置則採用滿載的插卡,而不同殘段走線長度 (1/4 英吋至 2 英吋) 的影響也包括在測試範圍內,目的是要盡量取得各方面的測試資料。即使時鐘頻率高達 100MHz,美國國家半導體的 M-LVDS 晶片無論在哪種情況下也可提供遠比競爭產品優越的雜訊容限。美國國家半導體的工程師曾以“如何設計符合 TCA 標準的先進 M-LVDS 時鐘發送網路”為題撰寫了一份應用技術論文簡編 (第 AN-1503 號),其中詳細列出有關測試的結果,並作出解釋。如欲查閱有關文件,可登入以下網頁瀏覽:http://www.national.com/an/AN/AN-1503.pdf。 

DS91C176 及 DS91D176 收發器晶片的技術規格及特色 

採用 8 接腳 SOIC 窄型封裝的 DS91C176 及 DS91D176 M-LVDS 差動、半雙工收發器可透過驅動器的輸入端接收 LVTTL/LVCMOS 訊號,並將之轉為差動 M-LVDS 訊號。這兩款晶片都可支援高達 100MHz 的時鐘頻率及 200Mbps 的資料傳輸率。此外,這兩款晶片的接收器輸入端都可接收多種不同的低電壓差動訊號 (LVDS、B-LVDS、M-LVDS 及 LV-PECL),並將之轉為 3V 的 LVCMOS 訊號。DS91C176 接收器內含 M-LVDS 第二類防故障電路,其內部偏移電壓只有 100mV,可以為短路及開放式輸入等作業情況提供“低”(LOW) 電壓輸出。 
DS91C180 及 DS91D180 線路驅動器及接收器晶片的技術規格及特色 

採用 14 接腳 SOIC 窄型封裝的 DS91C180 及 DS91D180 內建 M-LVDS 全雙工線路驅動器及接收器。這兩款晶片都可支援高達 100MHz 的時鐘頻率及 200Mbps 的資料傳輸率。此外,這兩款晶片的驅動器輸入端都可接收 LVTTL/LVCMOS 訊號,並將之轉為差動 M-LVDS 訊號,而其接收器輸入端則可接收多種不同的低電壓差動訊號 (LVDS、B-LVDS、M-LVDS 及 LV-PECL),並將之轉為 3V 的 LVCMOS 訊號。DS91C180 接收器內含 M-LVDS 第二類防故障電路,其內部偏移電壓只有 100mV,可以為短路及開放式輸入等作業情況提供“低”(LOW) 電壓輸出。 

如欲進一步查詢有關 DS91C180 及 DS91D180 兩款晶片的資料或訂購相關樣品,可瀏覽 http://www.national.com/pf/DS/DS91C180.html 及 http://www.national.com/pf/DS/DS91D180.html 網頁。 

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