快捷半導體推出體積最小的高性能功率 MOSFET

本文作者:admin       點擊: 2006-12-08 00:00
前言:
快捷半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出業界占位面積最小的P溝道MOSFET器件FDZ191P,可為各式大量生產的低電壓 (<20V) 可攜式電子產品提供功率轉換、充電和負載管理所需的最佳熱性能和電氣性能。此一器件特別適用的應用包括:行動電話、數位相機、MP3播放器、醫療設備,以及其他將更多智慧功能裝進到更小空間的可攜式產品。

快捷半導體的FDZ191P器件的性能優於市場上大部分專為低電壓應用而設計的功率MOSFET。FDZ191P是一款PowerTrench® MOSFET,採用了快捷半導體最新的晶圓級晶片尺寸封裝 (WL-CSP),因而具有出色的熱阻 (83C/W) 和低RDS(ON) (4.5V時為67mΩ)。FDZ191P具有超小型 (1.0mm x 1.5mm x 0.65mm) 的封裝,與同類型的器件比較,能節省至少30% 的電路板空間,而且最大的封裝高度僅為0.65mm,使其非常適用於高密度產品和超薄型消費電子產品之設計。FDZ191P還能夠在1.5V的低電壓下工作,這在功率管理設計中是一個重要的特性。此外,FDZ191P還能夠滿足全球電子產品應用所要求應具備的所有“綠色”和RoHS標準。

快捷半導體低電壓功率產品部行銷總監Chris Winkler表示:“快捷半導體的FDZ191P已為超小型及高性能MOSFET市場設立新的標準,並同時印證了快捷半導體結合高密度MOSFET矽晶片來開發尖端封裝技術的專業能力。快捷半導體採用1.0mm × 1.5mm WL-CSP封裝的產品系列正不斷地在擴大之中,也為設計人員提供了一種理想的解決方案,讓他們能夠克服低電壓設計對於空間和功率管理電路方面的挑戰。”

FDZ191P的主要優點包括:
超小的占位面積/高度 – 僅佔用1.5 mm2 的印刷電路板面積,當安裝在印刷電路板上時,FDZ191P的高度不超過0.65mm,因此極適用於各種高密度的應用;
出色的熱/電氣性能 – FDZ191P提供優良的熱轉移特性 (安裝在1” x 1” 銅焊墊上時,Rthja = 83C/W)。它還可滿足可攜式產品的功率管理設計要求 (Vgs = 4.5V 時典型的RDS(ON) 為67mΩ,Vgs= 2.5V時RDS(ON) 為85mΩ);
高功率和大電流處理能力 – 安裝在1” x 1” 銅焊墊上時,FDZ191P有助於實現1.5W的功率耗散 (Pd) 和3A的連續洩流電流 (ID);
滿足RoHS/綠色標準要求 – FDZ191P能充分滿足國際性的RoHS標準和綠色標準之要求。

這些無鉛器件能達到甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020C標準要求,並符合現已生效的歐盟標準。

欲獲更多訊息,請造訪快捷半導體的網頁,網址為:www.fairchildsemi.com

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