美國國家半導體推出業界首款內建可程式輸出削波鉗位電路的差動寬頻放大器

美國國家半導體公司 (National Semiconductor Corporation)(美國紐約證券交易所上市代號：NSM)宣佈推出業界首款內建可程式輸出削波箝位電路的900MHz寬頻全差動放大器，其優點是可為類比/數位轉換器及其他下游電路提供過壓保護。比起現有放大器須透過外部的離散式鉗位電路才可提供同樣的保護，此款放大器的內建鉗位電路在失真、頻寬及鉗位準確度方面都優於現有放大器。
 
此款型號為LMH6553的放大器可在攝氏-40度至125 度的溫度範圍內作業，適合用來處理動態範圍較廣的訊號，其中包括防碰撞警示、偏離車道及倒車警告等汽車安全系統的訊號。LMH6553的單位增益頻寬高達900MHz，而且只需29mA的供電電流，因此效能/功率比只有32uA/MHz，優於其他競爭產品，屬於美國國家半導體PowerWise? 高能源效率晶片的系列產品。
     
此外，美國國家半導體還有40多款8至14位元、取樣率高達1GSPS的差動輸入類比/數位轉換器可與LMH6553放大器搭配，協助工程師可以自行構建各種不同的訊號路徑解決方案。可供搭配的類比/數位轉換器包括ADC08D1000、ADC10080、ADC12C170及ADC14DS105等。
     
內建輸出削波鉗位電路的LMH6553放大器的主要技術特性
     
LMH6553放大器適用於極為廣闊的供電電壓範圍，從4.5V的單電源供應到+/-6V 的正負供電都適用。這款放大器不但設有4kV的靜電釋放保護功能，而且內建的可調節輸出鉗位電路可以按照一個參考控制電位設定內部高低削波電位，相較之下，外置的離散式鉗位電路則需要按照多個參考控制電位才可進行設定。此外，LMH6553放大器的鉗位過驅動恢復時間只有600ps，而且鉗位準確度保證可達+/-53mV，確保削波電位可以對準理想的訊號加以設定。
     
LMH6553晶片的鉗位準確度溫度係數為每一攝氏溫度-0.1mV，因此削波電位非常穩定，確保訊號在出現3dB失真之前只會在削波電位的22mV波幅內擺動。這款晶片還採用電流回授架構，而且輸入電壓雜訊低至1.2nV/sqrt Hz，輸入電流雜訊則低至13.6pA/sqrt Hz，因此即使增益設定值高於市場上同類的差動放大器，其輸出雜訊反而更低。LMH6553晶片設有外部增益設定電阻及輸出共模控制功能，因此只要根據不同要求設定不同增益，便可支援各種不同的交流及直流耦合類比/數位轉換器驅動系統。
     
美國國家半導體的放大器系列
     
美國國家半導體持續專注於研發高效能的放大器及比較器，目前已成功推出一系列型號齊全的運算放大器，以滿足市場上對高精度、高速、低電壓及低功率放大器的需求。該公司多年來一直致力於開發創新的放大器，這方面的技術更一直領先同業，加上該公司也擁有先進的VIP10雙極及VIP50 BiCMOS 製程技術，這幾方面的優勢令美國國家半導體將可繼續在放大器市場上保持其領導地位。此外，美國國家半導體率先推出 Silicon Dust? 及 micro SMD 這兩種嶄新的封裝技術，為封裝技術的市場領導者。如欲進一步查詢有關美國國家半導體放大器產品的資料，可瀏覽 national.com/amplifiers  網頁。
     
價格及供貨情況
   
LMH6553晶片有8接腳PSOP及8接腳LLP? 兩種封裝可供選擇，採購以1,000顆為單位，單顆價為3.35美元，已開始量產供貨。如欲查詢進一步的資料或訂購樣品及測試電路板，可瀏覽 http://www.national.com/pf/LM/LMH6553.html 網頁。
     
美國國家半導體的WEBENCH? 放大器線上設計工具可為多種不同的放大器提供設計支援。如欲進一步查詢有關這些解決方案的資料，可瀏覽 http://webench.national.com/CHT 網頁。如欲進一步瞭解如何將放大器融入系統設計之中，可瀏覽美國國家半導體的線上研討會資料庫，網址為 http://www.national.com/onlineseminar/#amps。
      
美國國家半導體公司簡介
     
美國國家半導體致力於開發各種高能源效率的類比及混合訊號半導體產品。採用該公司PowerWise? 產品的系統可以減少功耗，延長電池壽命，以及減少熱能產生。美國國家半導體總公司設於美國加州聖塔克拉拉 (Santa Clara)，截至2008年5月25日為止的2008 年會計年度的營業額達18.9億美元。有關美國國家半導體的公司資料及產品介紹，歡迎查閱該公司的網頁，網址：www.national.com。