恩智浦半導體推出精巧型電源管理解決方案 推動可攜式設備微型化

恩智浦半導體(NXP)宣佈推出採用DFN2020-6 (SOT1118) 無鉛塑膠封裝的精巧型中功率電晶體和N-channel Trench MOSFET產品PBSM5240PF。DFN2020-6 (SOT1118) 無鉛塑膠封裝面積僅2 x 2 mm，高度為0.65 mm，特別針對目前行動設備等高性能消費產品的微型化發展趨勢而設計。 

作為業界首款整合低VCE (sat) BISS電晶體和Trench MOSFET的二合一型產品，PBSM5240PF不但可節省PCB板空間，同時具備出色的性能。

傳統的小訊號電晶體 (BISS)/MOSFET解決方案通常需採用兩個封裝，相較之下PBSM5240PF可減少超過50%的電路板佔用面積，同時使封裝高度降低10%以上。此外，DFN2020-6 (SOT1118) 封裝亦整合一個散熱器，使散熱性能提升25%，進而可支援高達2A的電流，並達成較低的功耗。

PBSM5240PF可做為可擕式電池充電電路的一部分，適用於手機、MP3播放器以及其他可擕式設備。也可應用於需要出色散熱性能、較高電流支援與佔用面積小的負載開關或電池驅動設備中。 

PBSM5240PF BISS電晶體與N-channel Trench MOSFET的主要特性包含：
• 高度集電極電流性能IC與ICM
• 高度集電極電流下具備高電流增益 (hFE)
• 產生的熱能較低，可達成高效能
• 極低的集電極-發射極飽和電壓（VCEsat）
• 封裝面積僅2 x 2 mm，可減少PCB板尺寸

上市時間
恩智浦PBSM5240PF具突破性的小訊號(BISS)電晶體和N-channel Trench MOSFET即將上市，將透過全球主要經銷商供貨。