英飛凌科技已於奧地利菲拉赫 (Villach) 據點生產出首款 300 毫米薄晶圓之功率半導體晶片 (first sili-
con)，成為全球首家進一步成功採用此技術的公司。採用 300 毫米薄晶圓生產之晶片的功能特性，與以 200 毫米晶圓製造之功率半導體相同，已成功通過在高壓應用產品中使用金氧半導體場效電晶體 (Metal Oxide Semiconductor Field-EffectTransistor, MOSFET) 的應用測試證明。
英飛凌董事會成員，負責運籌、研發及勞方主管 Reinhard Ploss 博士表示：「英飛凌工程師的成就，代表生產技術的大躍進。創新奠定了獲利成長的基礎，也確保我們的競爭優勢。」
2010 年 10 月，英飛凌已在奧地利菲拉赫著手設立 300 毫米晶圓及薄晶圓技術的功率半導體前導生產線。目前該團隊擁有 50 名工程師和物理學家，來自研究、開發、製造技術及市場行銷等各個領域。
英飛凌擁有眾多非凡成就，而首顆 300 毫米下線晶片，是英飛凌持續成功製造節能產品專用之功率半導體的推手。根據 IMS Research* 於今年 8 月提出的研究報告，英飛凌在 2010 年仍位居全球功率半導體市場龍頭，並已連續第 8 年獲此殊榮。
在電晶體發明 55 年之後，英飛凌以革命性的 CoolMOS™ 電晶體技術，榮獲2002 年德國工業創新大獎 (German Industry’s Innovation Award)。高壓電晶體，已在眾多應用領域提昇能源效率，如 PC 電源供應器、伺服器、太陽能電源轉換器、照明與電信系統。這些節能晶片目前也是消費性電子裝置的必要元件，如平面電視和遊樂器。使用能源、節約能源且不失效率，已成為所有用電產業與家庭應用的首要需求。英飛凌的節能半導體解決方案，可節省高達 25% 的全球電力消耗。
英飛凌今年 7 月底宣佈，將德勒斯登 (Dresden) 設立為 Power 300 技術的高量產據點，作為其投資計劃之一。從計劃開始執行到 2014 年，英飛凌科技德勒斯登公司 (Infineon Technologies Dresden GmbH) 將投資約 2.5 億歐元，並為德勒斯登創造近 250 個工作機會。
con)，成為全球首家進一步成功採用此技術的公司。採用 300 毫米薄晶圓生產之晶片的功能特性，與以 200 毫米晶圓製造之功率半導體相同，已成功通過在高壓應用產品中使用金氧半導體場效電晶體 (Metal Oxide Semiconductor Field-EffectTransistor, MOSFET) 的應用測試證明。
英飛凌董事會成員，負責運籌、研發及勞方主管 Reinhard Ploss 博士表示：「英飛凌工程師的成就，代表生產技術的大躍進。創新奠定了獲利成長的基礎，也確保我們的競爭優勢。」
2010 年 10 月，英飛凌已在奧地利菲拉赫著手設立 300 毫米晶圓及薄晶圓技術的功率半導體前導生產線。目前該團隊擁有 50 名工程師和物理學家，來自研究、開發、製造技術及市場行銷等各個領域。
英飛凌擁有眾多非凡成就，而首顆 300 毫米下線晶片，是英飛凌持續成功製造節能產品專用之功率半導體的推手。根據 IMS Research* 於今年 8 月提出的研究報告，英飛凌在 2010 年仍位居全球功率半導體市場龍頭，並已連續第 8 年獲此殊榮。
在電晶體發明 55 年之後，英飛凌以革命性的 CoolMOS™ 電晶體技術，榮獲2002 年德國工業創新大獎 (German Industry’s Innovation Award)。高壓電晶體，已在眾多應用領域提昇能源效率，如 PC 電源供應器、伺服器、太陽能電源轉換器、照明與電信系統。這些節能晶片目前也是消費性電子裝置的必要元件，如平面電視和遊樂器。使用能源、節約能源且不失效率，已成為所有用電產業與家庭應用的首要需求。英飛凌的節能半導體解決方案，可節省高達 25% 的全球電力消耗。
英飛凌今年 7 月底宣佈，將德勒斯登 (Dresden) 設立為 Power 300 技術的高量產據點，作為其投資計劃之一。從計劃開始執行到 2014 年，英飛凌科技德勒斯登公司 (Infineon Technologies Dresden GmbH) 將投資約 2.5 億歐元，並為德勒斯登創造近 250 個工作機會。
