DXI指數上週微幅上漲，指數由上週的3136上漲至3158。現貨市場方面DDRII價格走勢仍強勁，但是DDRI明顯乏人問津。由於Mira的DDRI 256Mb eTT(UTT)已經開始在現貨市場放貨，價格大約在2.1美元附近，因此許多買家仍期待更低的價格使得DDRI需求不強。DDRI 256Mb (32M*8) 400MHz價格持平在2.33到2.32美元間，DDRI 256Mb (32M*8) eTT(UTT)價格由2.23美元小幅下滑4.5%至2.13美元。DDRII部分，由於模組廠客戶對於DDRII的需求仍強勁，價格由4.69美元上漲至5.03美元，價格漲幅約7.4%。
合約市場部分，一月下旬合約市場DDRII 512 Mb (32*8) 400MHz價格上漲3.5%達4.09美元，DDRII 256MB/512MB模組價格分別為17.83/35.67美元。而DDRI 512Mb (32*8)與上旬持平在4.14美元水準。因此DDRI 256MB/512 MB價格持平在18-18.5/ 36-37.5美元。儘管DDRII現貨價已反彈到5美元左右了，1月下旬的合約價漲幅仍會落後於現貨價格，DRAMeXchange分析師指出，主要由於部分DRAM廠在去年11月價格低靡時與PC OEM廠簽訂較長期合約,鎖定價格, 所以未能完全反應上漲幅度。因此廠商樂觀表示DDRII 合約價格2月仍可持續上揚5%-10%，也將連帶使得DDRI價格小幅上漲或持平。
在需求端方面，2005第四季由於PC產業的出貨基期相對較高，加上PC業者大量出貨使得2006第一季通路端已經有看到庫存塞貨的狀況，將使得2006年第一季PC出貨量較去年第四季下滑10-15%水準。但是相對於供給端的DRAM產業而言，供給DRAM的產能卻也同步下滑，使得產業近期出現供給吃緊的窘境。而且現貨市場對於DDRII的需求已經開始逐漸增溫，模組廠已開始在現貨市場收購DDRII UTT規格，目前DDRII 使用的PCB也有吃緊的狀況。在DDRII產能不足的情況下，DRAMeXchange預期平穩往上的價格趨勢可以維持2月。
NAND Flash現貨價在曇花一現的漲幅後就下跌
本週NAND Flash現貨市場上，高容量的顆粒呈為買家主要的焦點，特別是1/18 與 1/19 兩日買氣最強，使得4Gb 至 16Gb NAND Flash 顆粒的現貨價格在1/17 至 1/23這週的平均最高漲幅達五%。然而，相較過去幾個禮拜，低容量 NAND Flash顆粒的現貨價則是反轉呈下跌的走勢。
NAND Flash 的現貨價於2006年1月23日分別是1Gb與2Gb下跌了3％，4％而4Gb，8Gb和16Gb則上揚了3％，5％與1％，價格分別來到7.05美元，13.38美元，21.54美元，38.48美元，和74.42美元。和DRAMeXchange在2006年1月17日最新公布的合約價比較起來，目前的NAND Flash 現貨對合約價的仍高出5-23%，其中以2Gb為價差最高的顆粒。
高容量Flash顆粒的供應仍集中在較大的合約客戶。當西方季節性需求的結束，DRAMeXchange指出部分4Gb到16Gb的NAND Flash顆粒由這些地區湧入現貨市場。隨著過去一個月的大幅跌價，現貨市場裡的投機客已無保留庫存，導致目前現貨市場中高容量的NAND Flash供給有限。在加上這星期亞洲模組製造商對於高容量的記憶卡需求迫切，導致前述尖峰日期時，單日NAND Flash現貨價格上揚了6％
DRAMeXchange進一步表示現在的漲價只是短暫的情況，因為隨者中國新年的到來，中國大陸部分的工廠已開始停產休息，而且亞洲區模組製造商和現貨交易商也都開始出清手上的庫存貨以避免未來兩週假期裡可能的跌價風險。NAND Flash所有顆粒的需求會轉弱且交易也會較為不熱絡，如此的狀況將導致NAND Flash所有顆粒的價格走勢從2006年1月23日該週起皆為向下。
合約市場部分，一月下旬合約市場DDRII 512 Mb (32*8) 400MHz價格上漲3.5%達4.09美元，DDRII 256MB/512MB模組價格分別為17.83/35.67美元。而DDRI 512Mb (32*8)與上旬持平在4.14美元水準。因此DDRI 256MB/512 MB價格持平在18-18.5/ 36-37.5美元。儘管DDRII現貨價已反彈到5美元左右了，1月下旬的合約價漲幅仍會落後於現貨價格，DRAMeXchange分析師指出，主要由於部分DRAM廠在去年11月價格低靡時與PC OEM廠簽訂較長期合約,鎖定價格, 所以未能完全反應上漲幅度。因此廠商樂觀表示DDRII 合約價格2月仍可持續上揚5%-10%，也將連帶使得DDRI價格小幅上漲或持平。
在需求端方面，2005第四季由於PC產業的出貨基期相對較高，加上PC業者大量出貨使得2006第一季通路端已經有看到庫存塞貨的狀況，將使得2006年第一季PC出貨量較去年第四季下滑10-15%水準。但是相對於供給端的DRAM產業而言，供給DRAM的產能卻也同步下滑，使得產業近期出現供給吃緊的窘境。而且現貨市場對於DDRII的需求已經開始逐漸增溫，模組廠已開始在現貨市場收購DDRII UTT規格，目前DDRII 使用的PCB也有吃緊的狀況。在DDRII產能不足的情況下，DRAMeXchange預期平穩往上的價格趨勢可以維持2月。
NAND Flash現貨價在曇花一現的漲幅後就下跌
本週NAND Flash現貨市場上，高容量的顆粒呈為買家主要的焦點，特別是1/18 與 1/19 兩日買氣最強，使得4Gb 至 16Gb NAND Flash 顆粒的現貨價格在1/17 至 1/23這週的平均最高漲幅達五%。然而，相較過去幾個禮拜，低容量 NAND Flash顆粒的現貨價則是反轉呈下跌的走勢。
NAND Flash 的現貨價於2006年1月23日分別是1Gb與2Gb下跌了3％，4％而4Gb，8Gb和16Gb則上揚了3％，5％與1％，價格分別來到7.05美元，13.38美元，21.54美元，38.48美元，和74.42美元。和DRAMeXchange在2006年1月17日最新公布的合約價比較起來，目前的NAND Flash 現貨對合約價的仍高出5-23%，其中以2Gb為價差最高的顆粒。
高容量Flash顆粒的供應仍集中在較大的合約客戶。當西方季節性需求的結束，DRAMeXchange指出部分4Gb到16Gb的NAND Flash顆粒由這些地區湧入現貨市場。隨著過去一個月的大幅跌價，現貨市場裡的投機客已無保留庫存，導致目前現貨市場中高容量的NAND Flash供給有限。在加上這星期亞洲模組製造商對於高容量的記憶卡需求迫切，導致前述尖峰日期時，單日NAND Flash現貨價格上揚了6％
DRAMeXchange進一步表示現在的漲價只是短暫的情況，因為隨者中國新年的到來，中國大陸部分的工廠已開始停產休息，而且亞洲區模組製造商和現貨交易商也都開始出清手上的庫存貨以避免未來兩週假期裡可能的跌價風險。NAND Flash所有顆粒的需求會轉弱且交易也會較為不熱絡，如此的狀況將導致NAND Flash所有顆粒的價格走勢從2006年1月23日該週起皆為向下。
