Spansion 開創快閃記憶體技術發展新里程

本文作者:admin       點擊: 2006-01-10 00:00
前言:
由AMD和富士通共同投資的快閃記憶體公司Spansion LLC,在2005年12月順利在納斯達克上市,讓公司的經營步入新里程。專為Flash市場而誕生的Spansion,在成立之後,雖然面臨競爭者眾的挑戰,但該公司一路走來仍能在Flash開發技術與產能上獨領風騷。

日前,Spansion即在台展出90nm MirrorBit技術的單晶片1Gb GL NOR快閃記憶體,並且示範操作1Gb ORNAND產品的工作晶片。Spansion位於德州奧斯汀的旗艦製造廠Fab 25所生產的Spansion 90nm MirrorBit技術的產品,為極受關注的高容量快閃記憶體開發計劃奠定了基礎。

Spansion全球副總裁兼亞太區總經理王光偉先生表示:該公司成功地在2005年將MirrorBit技術擴展到了90nm。這是一個新的里程碑。很多客戶都希望利用NOR架構來儲存執行程式碼,因?它具有很高的可靠性、讀取效能和容易使用特性。利用我們的NOR和ORNAND架構,並透過在90nm技術的基礎上將MirrorBit技術擴展到更高的容量,Spansion的客戶不僅可以繼續享受MirrorBit技術在程式碼儲存方面的好處,Spansion更可將MirrorBit技術擴展到無線及嵌入式設備儲存資料的應用。 

讀取效能決定了手機開機速度,以及多媒體內容的功能和應用(例如遊戲、影片和音樂)。更高的讀取效能帶給用戶使用無線電話多媒體功能更好的體驗。90nm MirrorBit技術能夠同時滿足嵌入式程式碼及資料儲存應用的需要。過去,這些應用主要使用NOR或NAND架構。而Spansion已經完成目前市場上最高容量的單晶片1Gb NOR產品。Spansion表示,該設備可以提供出色的讀取效能,滿足很多嵌入式應用對高容量程式碼和資料儲存的需求。

Spansion計劃在2005年底前推出採用NOR和ORNAND架構的1Gb產品,以及在2006年中旬推出容量高達2Gb的ORNAND產品,也預計在2006年初推出高性能1.8V 512Mb NOR樣品。同時該公司也計畫在2006年開始生產65nm MirrorBit技術的產品。除此之外,Spasion為拓展無線應用,也推出了基於3V MirrorBit技術的PL-N產品線。PL-N產品線專為滿足無線手持設備對程式碼儲存需求日益增加而設計。

另一方面,Spansion也首開先河與M-Systems策略合作, 將類比模塊整合在Spansion MirrorBit快閃記憶體解決方案中 --- 成為一種快閃記憶體類比(Logic on Flash)的新產品,展現其先進的封裝技術。多年以來,多晶片整合一直是很多客戶降低成本的關鍵。Spansion不僅推出了多晶片封裝(MCP)儲存裝置,並且還支援堆疊封裝(POP)技術。透過最新的快閃記憶體類比產品,Spansion有效地把邏輯整合到90奈米製程技術中,為客戶提供又一個創新的、經濟有效的解決方案。快閃記憶體邏輯(Logic on Flash)可以提供穩定的性能、低功耗,以及更小的快閃記憶體體積。 

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