集邦:DRAM現貨市場跌深反彈

本文作者:admin       點擊: 2007-10-09 00:00
前言:
2007年10月2日---上周DRAM現貨市場呈現先跌後反彈的走勢,DDR2 512Mb 667MHz小幅下跌2.03%,以1.45美元做收,而DDR2 512Mb eTT價格反彈至1.23美元,上漲幅度達5.13%。現貨市場反彈主要的原因主要有二,一為跌深反彈,DDR2 512Mb eTT創下1.10美元的新低;二為海力士(Hynix)因現貨市場價格跌幅太大,暫時停止供貨至現貨市場。集邦科技(DRAMeXchange)表示,目前DDR2 512Mb eTT均價與667MHz低價已經相當接近,若品牌顆粒未順勢反彈,將壓抑整體現貨市場反彈趨勢。

至於合約市場方面,最近市場上甚至見到部份1GB模組,以25美元新低價格成交,而此一成交價將對十月上旬合約價造成相當程度之壓力。目前雖逢PC出貨旺季,然而OEM手上存貨充裕,並沒有積極備貨之意願,因此集邦科技預期十月上旬合約價格將持續向下修正,幅度可能較上次為大。

九月下旬NAND Flash合約價持續向下修正

九月下旬NAND Flash合約價平均降幅在2-15%左右,其中以主流8Gb和16Gb的MLC顆粒降幅較大,主要是反應主要供應商5X nm新製程產出比重從今年第四季起將逐漸增加,生產成本相對下降、十月開始供貨量的提升,以及供應商在第三季季底和中國十一長假前對客戶的促銷策略。至於SLC顆粒則因市場供給量逐漸減少,所以此次合約價格的跌幅相對於MLC來說就顯得比較小。

展望今年第四季NAND Flash市況,目前各國政府正在通力合作穩定國際金融與經濟環境,而且廠商的持續降價策略也有助於刺激第四季的買氣與新興市場的新商機,因此十月份仍然是傳統的年底旺季NAND Flash備貨需求高原期。由於九月的NAND Flash合約價已經提前大幅向下修正過,因此集邦科技(DRAMeXchange)預期短期內NAND Flash合約價繼續向下修正的幅度將明顯縮小。

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