根據集邦科技(DRAMeXchange)調查，2007年第三季全球DRAM品牌廠商銷售額較第二季成長3.6%。主要來自第三季的位元成長率9%，而DRAM ASP漲跌幅度依各家產品組合不同而異。第三季DDR2合約價呈微幅上漲，但現貨價則下跌約9%。整體而言，由於上半年DRAM價格持續下跌，及八月三星NAND Flash廠房失火意外，韓系廠商均有提高轉往NAND Flash的產能，而使第三季的DRAM產出成長僅達9%，較第二季成長23%較緩，使得第三季DRAM ASP走穩。集邦預估今年DRAM位元成長仍高達90%，DRAM下半年仍處於供過於求的價格下降趨勢。
以各區域的DRAM品牌廠商銷售額排名，韓系廠商市占率達49.6%，市佔率相較今年第二季攀升。其次為台系廠商市占率13.1%，相較第二季的13.6%略為下滑，主要原因是台系廠商銷售eTT顆粒比例較高， DDR2 eTT顆粒第三季的平均單價比第二季下滑了約7%。
若依個別公司今年第三季的自有品牌DRAM銷售額成長幅度觀察，各家成長率互有增減，但以海力士(Hynix)第三季的營收最為突出，營收成長率達15.4%，主要原因是第三季的出貨量與第二季相比成長約17%，且DRAM合約價格，第三季的平均單價成長3%。在製程方面，第三季海力士在70nm比例也拉高至15%。
而以各策略聯盟廠商市佔率觀察，今年第三季海力士(Hynix)快速成長下，市佔率逼近三星(Samsung)。目前市場雖期待DRAM廠能減產，然而DRAM廠市場率的競爭豈能喊停。分析師表示拉高新製程比例及良率，以求成本下降是DRAM廠的首要課題。而DRAM供過於求的情況恐怕持續至明年第二季。
以各區域的DRAM品牌廠商銷售額排名，韓系廠商市占率達49.6%，市佔率相較今年第二季攀升。其次為台系廠商市占率13.1%，相較第二季的13.6%略為下滑，主要原因是台系廠商銷售eTT顆粒比例較高， DDR2 eTT顆粒第三季的平均單價比第二季下滑了約7%。
若依個別公司今年第三季的自有品牌DRAM銷售額成長幅度觀察，各家成長率互有增減，但以海力士(Hynix)第三季的營收最為突出，營收成長率達15.4%，主要原因是第三季的出貨量與第二季相比成長約17%，且DRAM合約價格，第三季的平均單價成長3%。在製程方面，第三季海力士在70nm比例也拉高至15%。
而以各策略聯盟廠商市佔率觀察，今年第三季海力士(Hynix)快速成長下，市佔率逼近三星(Samsung)。目前市場雖期待DRAM廠能減產，然而DRAM廠市場率的競爭豈能喊停。分析師表示拉高新製程比例及良率，以求成本下降是DRAM廠的首要課題。而DRAM供過於求的情況恐怕持續至明年第二季。
