Cypress推出內建即時時脈功能的新款序列元件 擴充領先業界的非揮發性SRAM產品陣容

本文作者:admin       點擊: 2009-10-15 00:00
前言:
Cypress Semiconductor公司宣布推出新系列1-Mbit序列非揮發性靜態隨機存取記憶體(nvSRAM),以及內建即時時脈(RTC)功能的新款4-Mbit與8-Mbit nvSRAM。 

Cypress的nvSRAM採用其S8™ 0.13微米SONOS(Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon,矽氧化氮氧化矽)嵌入式非揮發性記憶體製造技術,創造出更高密度,並改善存取速度與效能。對於需要絕對非揮發性資料安全性的應用裝置,nvSRAM是理想的解決方案,其中包括磁碟陣列(RAID)系統、工業控制與自動化(例如:PLC、馬達控制、馬達驅動以及機器人)、單板電腦、銷售端點管理系統、電子儀表(eMetering)、車用、醫療以及數據通訊系統。

序列式nvSRAM系列產品內含1-Mbit元件,推出多重組態設定,並配備一個業界標準SPI介面。序列式nvSRAM提供底面積極小的8針腳DFN與16針腳SOIC封裝,運作頻率最高可達40 MHz,其中一款序列nvSRAM還整合一個即時時脈元件。 

Cypress平行式nvSRAM的存取時間僅有20奈秒(ns),提供無限次數的讀、寫、及召回(recall)能力,以及長達20年的資料保存期限。新款4-Mbit與8-Mbit nvSRAM整合一個即時時脈元件,為備份的重要資料提供時間戳記(time-stamping)功能,並具備一個可編程警報功能以及監控計時器。欲獲得更多關於Cypress nvSRAM系列產品的詳細資訊,請瀏覽:www.cypress.com/go/NVM網站。

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