創惟科技將於IDF2010展示USB 3.0儲存與HUB產品應用

本文作者:admin       點擊: 2010-09-09 00:00
前言:
致力於混合訊號設計開發的高速I/O IC設計領導廠商—創惟科技,將於9月13-15日參加在美國舊金山所舉行的英特爾秋季開發者論壇(IDF2010),並於USB Community技術專區中展示外接式硬碟傳輸的SATA橋接控制晶片(產品代碼GL3310)、高速多媒體記憶卡讀卡機控制晶片(產品代碼GL3220)以及4個接續端口的Hub控制晶片(產品代碼GL3520)。而緊接著IDF2010,創惟科技將於9月16日參加由電子時報於台北六福皇宮所主辦的「DTF 2010新世代儲存技術發展與應用設計論壇」,同時發表USB 3.0儲存產品應用。

GL3310 USB 3.0 to SATA 3Gb/s橋接控制晶片包含創惟科技所自行開發的 USB 3.0 PHY、USB 2.0 PHY以及SATA PHY,且已獲得USB-IF認證(TID: 340000005) 。GL3310承襲創惟科技前一代USB 2.0 to SATA 產品的高性價比優勢,與現有 USB 2.0裝置相比更可提供七倍以上效能 ,並且兼顧了與各種 USB 主機及SATA 裝置的高度相容性。同時為因應大容量、高轉速外接式硬碟的功耗需求,GL3310採用特殊低功耗設計,以減輕系統為達到高速傳輸的功耗負擔。此外,GL3310也為客戶提供眾多彈性介面,以滿足產品設計上的不同需求。GL3310已進入量產,並提供64-pin LQFP以及48-pin QFN兩種不同封裝供客戶選擇。

創惟科技近期所推出的GL3220 USB 3.0高速多媒體記憶卡讀卡機控制晶片,同樣也已獲得USB-IF認證(TID: 340000020)。透過USB SuperSpeed 5G的高速傳輸,GL3220支援目前市面上所有高速記憶卡規格,包含CF v5.0 UDMA6 (速度最高達到133MB/sec)、SD v.3.0 (速度最高達到104MB/sec) 及MS PRO-HG (速度最高達到60MB/sec),同時也支援新一代大容量SDXC及MSXC記憶卡 (容量最高皆達到2TB);隨著新一代手機上多使用microSD當作儲存媒介,GL3220在支援記憶卡的架構上,除了傳統的CF/SD/MS/xD-picture 外,也額外加上日趨普及的microSD界面,讓客戶在終端產品上能夠同時提供五個獨立的記憶卡插槽,以方便一般消費者的使用。在系統面的精進上,GL3220採用0.13微米製程,在電源供應上內建5V轉3.3V及3.3V轉1.2V的電源調節器,此外也內建供應五組記憶卡的電源控制開關,進而提供客戶最具成本效益的USB 3.0讀卡機裝置。目前GL3220提供128-pin LQFP封裝,並在硬體上保留多組GPIO以符合客製化的需求。

而GL3520   USB 3.0  Hub控制晶片亦整合由創惟科技自行開發的USB 3.0 PHY,以及USB 2.0 Hub市場中市佔率最高的  GL850G/GL852G集線器核心技術。 此產品除了提供USB 3.0的高效能外,也具備與 USB 2.0/USB 1.1裝置與主機端的 高度相容性。此外,除了承續創惟科技最佳的成本結構以及更低功耗設計上的先進技術,GL3520也支援USB-IF協會新制定的USB   Battery Charging Rev  1.1的快速充電功能,可大幅縮短手持裝置的充電時間, 為消費者帶來更多的便利性。 

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