DRAMeXchange:2011年DRAM產業趨勢與展望

本文作者:admin       點擊: 2010-11-25 00:00
前言:
根據集邦科技(Trendforce)旗下研究部門DRAMeXchange調查,DDR3 2GB合約價格自2010年自上半年的高點46.5美元後一路走跌九月上旬跌破40美元,十月下旬再度跌破30美元。十一月上旬均價約25美元,與今年高點相比跌幅達46%。雖然筆記型電腦九月出貨優於預期,由於傳統旺季需求仍不暢旺,季成長僅2.6%。DRAM產出方面,除了三星由於製程優於其他同業,加上浸潤式機台移入時間早,產出量的增加在第三季達到頂峰,也讓三星在第三季營收有著亮眼的表現;反觀其他DRAM業者,浸潤式機台移入時間點大都集中在今年下半年,產出量亦在第四季大增,供給大於需求加上 DRAM廠商有銷貨上的壓力,以較低的價格爭取訂單,是造成十月下旬合約價加速趕底的主要原因。集邦科技預估今年年底DDR3合約價格可能下看$20美元,下跌幅將超過30%QoQ。

由於預見DRAM價格大幅下跌,DRAM廠紛紛對未來資本支出轉趨保守,如三星Fab16的建設,將視未來市場狀況做調整,台系廠如力晶亦下修資本支出約20%至160億台幣,日台合資的瑞晶R2廠擴廠計劃也延後討論。爾必達更在11月4日F2Q法說上,宣稱將進行減產標準型DRAM月產能6萬片,減產方向可能降低委外代工部分,或降低日本廣島廠標準型DRAM的投片量。11月8日,力晶並跟進宣布減產標準型DRAM10%-15%,將產能轉至代工產品。同時市場也傳出海力士因44nm良率不佳,影響第三季及第四季的產出。 

展望2011年,集邦科技預估2011年DRAM產出全年成長在廠商加速製程轉進下,仍可達50%,各家的製程轉進狀況,三星35nm製程預計明年下半年將超過50%,其餘國際廠也加速3Xnm進程,海力士、美光及爾必達均預計明年第二季末量產3Xnm技術,台系廠明年則以加速轉進4xnm 以目標。各家競相轉進製程,期望將生產成本再降低,以因應DRAM快速下跌的速度。

DRAMeXchange 預估,價格可望在明年第一季或第二季落底。2011年PC 銷售成長預計達11.8%,加上Tablet PC 刺激Mobile RAM需求成長80%以上。然而在標準型DRAM價格大跌隱憂下,DRAM廠明年上半年資本支出可能將保守以對,預期明年第一季,低價DRAM可望刺激電腦廠商增加DRAM 搭載率。DRAMeXchange預估2011年DT以及NB單機搭載率分別成長至4.22GB/4.00GB,年增率36%以及31%,市場期望DRAM搭載的成長,能讓市場由超額供給回復至供需平衡,下半年市場價格走穩。 

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