安森美半導體180 nm製程技術嵌入Sidense的1T-OTP記憶體

本文作者:admin       點擊: 2011-04-01 00:00
前言:
邏輯非揮發性記憶體(LNVM)一次性可程式設計(OTP)記憶體智財(IP)核心開發商Sidense與應用於高能效電子產品的首要高性能矽方案供應商(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ONNN)宣佈,Sidence已將其180奈米(nm) OTP記憶體SLP產品線移配到安森美半導體的180 nm數位及混合訊號技術平臺ONC18。 

此特許協定將使SLP巨集(macro)模組能夠用於安森美半導體的專用標準產品(ASSP),以及那些期望安森美半導體製造的專用積體電路(ASIC)產品中包含OTP IP的客戶。此外,Sidence也將能夠服務他們公司期望使用SLP巨集模組及安森美半導體晶圓代工服務的客戶。單個SLP巨集模組的密度範圍最高達250 Kb。

安森美半導體數位及混合訊號產品部資深副總裁Bob Klosterboer說:「隨著我們的產品中內嵌Sidence安全可靠的OTP巨集模組,安森美半導體在為客戶提供涵蓋多種應用的前沿矽產品方面,比競爭對手多了一項新增優勢。我們選擇Sidense的OTP IP,既是因為它功耗低、占位面積小,也因為它不用我們更改或增添標準製程流程。」

Sidence總裁兼執行長 Xerxes Wania說:「我們非常高興與安森美半導體這樣的業界領袖合作。此次合作又將為安森美半導體添加一項珍貴的IP資源,讓期望使用Sidence OTP以獲得安全可靠及高性價比記憶體的安森美半導體客戶得以使用,還使Sidense能夠服務我們那些期望使用安森美半導體晶圓代工資源的客戶。」

關於SLP
SLP是Sidence SiPROM產品系列的尺寸更小、功耗更低的版本,最大巨集模組尺寸為256 Kb。SLP巨集模組最初採用180 nm製程技術製造,針對手持通訊設備、晶片及產品識別(ID)、類比微調和校準以及代碼儲存等關注成本及功耗的應用。 

關於Sidense
Sidense公司提供安全、極高密度及可靠的非揮發性一次性可程式設計(OTP)記憶體IP,用於標準邏輯CMOS製程,不要求額外掩膜或製程步驟、對產品良率沒有影響。公司創新的單電晶體1TFuse™架構提供業界占位面積最小、最可靠及最低功耗的邏輯非揮發性記憶體(NVM) IP方案。Sidense OTP擁有70多項獲批或待批專利,在眾多OTP及多次可程式設計(MTP)應用中為快閃記憶體、掩膜ROM及eFuse提供了現場可程式設計方案的又一選擇。

超過150項客戶設計中嵌入了Sidense的 SiPROM、SLP及ULP記憶體產品。這些產品支援從180 nm到40 nm製程,還可調整至支持28 nm或更小。所有頂級半導體代工廠商及一些卓越整合元件製造商(IDM)均提供並已採用這些IP。客戶將Sidense的OTP用於類比微調,代碼儲存,高頻寬數位內容保護(HDCP)、無線家庭數位介面(WHDI)、射頻識別(RFID)及晶片識別(Chip ID)等加密密鑰,醫療,汽車及可配置處理器和邏輯。更多資訊請訪問www.sidense.com。

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