BRIDGELUX發布固態照明GaN-On-Silicon突破性磊晶技術

本文作者:admin       點擊: 2011-03-25 00:00
前言:
LED照明技術與解決方案的研發與製造領導廠商Bridgelux公司,宣布一項重大的突破性成果,運用「氮化鎵上矽」(GaN-On-Silicon) 的LED技術達成每瓦135流明的效能里程碑。這項成就代表Bridgelux在矽半導體基板LED技術方面,成為業界第一個達到商品化等級效能的標竿廠商。 

在LED磊晶生成方面,大部分採用藍寶石晶圓或碳化矽作為基板材料。但大直徑的藍寶石與碳化矽基板相當昂貴,加工困難,而且貨源不易取得。因此,昂貴的製造成本導致LED照明產品無法普及到住宅與商業建築等領域。然而,若能在直徑更大、成本低廉的矽晶圓上生成氮化鎵,並採用與現代半導體生產線相容的製程,則產品成本會比現有製程有效降低75%。 

每瓦135流明的效能,是採用350mA電流的1.5mm LED所達成的,其相對色溫CCT為4730K。這些LED只需要極低的運作電壓,2.90伏特就可以在350mA環境下運作,1安培電流下更僅需小於3.25伏特的電壓。這些元件具備極低的順向電壓加上優異的熱阻特性,因此適用於各種高效能的照明及應用。優化的磊晶製程針對8吋矽晶圓,將使LED的製程能相容於現行的自動半導體生產線。 

轉向矽基板的技術突破將為LED產業帶來革命性的進展,具領先地位的Bridgelux已做好充分的準備來導入、運用這項技術。在過去5年,LED研發的業界先鋒Steve Lester博士,訓練出一個世界級的團隊,結合Bridgelux旗下的材料科學家與晶片設計工程師,專責氮化鎵上矽的研發。在此同時,業界對矽基板上生成氮化鎵的研發亦有飛快的進展。Bridgelux的報告指出,氮化鎵上矽的效能足以媲美12至24個月前推出最頂尖的藍寶石基板LED。預估在未來2至3年內,可供商業運用的氮化鎵上矽產品就能上市銷售。 
  

Bridgelux採用輕資產營運模式,運用本身在LED磊晶領域雄厚的研發與智慧財產資源,和夥伴廠商合作生產各種矽基LED。該公司目前正和多家著名半導體廠商洽談,計畫運用全球各地已折舊的8吋晶圓廠及其製程來生產LED。   

Bridgelux公司執行長Bill Watkins表示:「Bridgelux的成就充分反映我們在矽材料與磊晶製程技術的領先優勢。矽基LED技術大幅降低的成本結構,將持續在固態照明領域協助業者省下大筆的初期投資資金。在短短的2到3年內,即使是對價格最敏感的市場,例如商務與辦公室照明、住宅應用以及換新燈具等,都將極快速地轉型成固態照明產品。 」 

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