IR嶄新晶片組結合DirectFETKY集成MOSFET/Schottky二極管及DirectFET MOSFET
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2004-05-21 00:00
前言：
最新DC-DC轉換晶片組有效提升先進處理器的效率
全球功率半導體及管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)，推出新的控制和同步開關晶片組，專攻用來驅動新一代Intel和AMD處理器的高頻DC-DC轉換器，適用於高階先進伺服器和桌上型電腦。該晶片組也可哂渺峨娪嵑蛿祿ㄓ嵪到y的負載點DC-DC轉換。
這款晶片組若用於開關頻率達每相750kHz的四相1U (1.75吋高) VRM系統，可在90A輸出電流下擁有84.5% 的效率；若用於開關頻率達每相400kHz的八相VRD10.2設計，則可在150A輸出電流下擁有87% 的效率。
第一款元件是單片式IRF6691 DirectFETKY，它把一個Schottky二極管和一個同步MOSFET整合於單一封裝內。若使用相同的控制FET，該元件在全負載狀態及每相1MHz頻率下，效率較市場上其他性能最佳的20V同步MOSFET改善達1.1%。
IRF6691在10VGS下的典型導通電阻 (RDS(on)) 為1.2 mOhm (在4.5VGS下為1.8 mOhm)，典型Qrr為26nC。它不僅提供最佳熱性能，而且逆向恢復損耗更低，也可減少整體零件數目。
第二款元件是IRF6617 DirectFET HEXFET控制MOSFET，它是特別設計給控制FET開關，整體柵電荷 (Qg 為11nC) 極低。與舊款30V元件比較，它能在4.5VGS下把87mOhm-nC導通電阻與柵電荷乘積減少33%。
IR台灣分公司總經理朱文義表示：「我們不斷在元件導通電阻與開關損耗以外的其他地方，改善足以影響功率MOSFET性能的關鍵參數。IR領導業界的DirectFET封裝技術與最新單片式晶片技術，為現今最先進的資訊科技應用奠定了DC-DC轉換效率標準。」
兩款元件皆採用IR已獲專利的DirectFET封裝技術，並且具有一系列標準塑料離散式封裝前所未有的設計優點。DirectFET功率MOSFET系列藉開展創新的雙面冷卻設計，有效把驅動先進處理器的高頻DC-DC降壓轉換器的電流處理效能提升一倍。
兩款元件已開始供應。基本規格如下：
產品編號
封裝
BVDSS
(V)
10V下最大RDS(on)
(mOhm)
4.5V下最大
RDS(on)
(mOhm)
VGS
(V)
Tc=25°C下之ID
(A)