快捷半導體的先進MOSFET技術降低Miller電荷達35-40%
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2004-06-14 00:00
前言：
快捷半導體的先進MOSFET技術降低Miller電荷達35-40%，在同步降壓應用中實現優異的開關和散熱性能
快捷半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 宣佈其性能先進的PowerTrench® MOSFET製程可實現極低的Miller電荷 (Qgd)、RDS(on)、總柵極電荷 (Qg)，並改善柵漏電荷對柵源電荷 (Qgd:Qgs) 的比率，在同步降壓應用中帶來優異的開關性能和散熱效率。低Qgd的優勢在於減少開關損耗和縮短“死區時間”，以改善穩壓性能。理想的Qgd:Qgs比率可以防止柵極誤觸發以避免MOSFET用作同步整流器時會於開關MOSFET 之間產生短路電流。低RDS(on)對於降低導通損耗非常重要，而低Qg可減少每次切換中導通和關斷MOSFET所消耗的功率。快捷半導體所推出兩種新型30V MOSFET為FDS6294和FDS7288N3型號，具備改進型快速開關技術的優勢，分別適用於筆記型電腦和POL (負荷點) 轉換器設計。
新型FDS6294具有非常低的Qgd，可為高頻、窄工作週期開關應用提供優良的性能。在筆記型電腦的高效率同步降壓電源設計中，極快的開關速度是不可缺少的。在這種應用中，如果器件不能迅速導通和關斷，一般較大的輸入至輸出電壓比率和跨越上橋MOSFET的大電壓擺動常會引起過大的開關損耗。FDS6294具有3nC (典型值) 的超低Miller電荷值 (Qgd)，可以大幅縮短轉換時間，並結合最大值僅為3毫歐的低RDS(on)，性能淩駕現有的方案。FDS6294採用SO-8封裝。
除了具有低Miller電荷、低RDS(on)、低Qg和Qgd:Qgs比率 (少於1) 的出色性能外，新型FDS7288N3並採用SO-8 FLMP封裝 (倒裝引腳鑄模封裝) ，這種先進的無引線封裝技術提供極低的晶片接面至外殼熱阻 (qJC)、低電氣阻抗，以及低封裝電感。低晶片接面至外殼熱阻是通過從封裝底部直接散放熱量而實現，使得該器件的效率較傳統封裝MOSFET高出許多。較低的電氣封裝阻抗可減少靜態損耗，而封裝電感的降低也可減少開關損耗。FDS7288N3具有出色的熱性能，最適合用於高電流密度DC-DC電源應用，常見於電腦伺服器、電信設備和網際網路集線器及路由器的POL轉換器中。
FDS7288N3和FDS6294結合FAN5093雙相控制器和驅動器組合，構成完整的POL解決方案。而FDS7096N3和FDS7288N3結合FAN5009驅動器和FAN5019控制器，會構成用於VRM伺服器應用的高效系統解決方案。
FDS7288N3屬於無鉛製程產品，能達到甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020B 標準要求，並符合將於2005年生效的歐盟標準。
快捷半導體技術市塲經理David Grey表示：“快捷半導體的新型快速開關MOSFET矽產品技術加上創新的封裝，較前一代MOSFET產品大幅提升了高階開關的性能和同步整流功能。”
價格: FDS6294每個0.78美元，FDS7288N3每個1.52美元 (均以訂購1,000個計)
供貨: 現貨
交貨期: 收到訂單後8周內
欲獲更多訊息，請造訪快捷半導體的網頁，網址為：www.fairchildsemi.com，或聯絡快捷半導體香港辦事處，電話為 (852) 2722 8338；或台灣辦事處，電話為 (886-2) 2712 0500。要瞭解有關產品的更多資訊，請訪問網頁：http://www.fairchildsemi.com/pf/FD/FDS6294.html； http://www.fairchildsemi.com/pf/FD/FDS7288N3.html；
http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDS6294.pdf；http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDS7288N3.pdf。
快捷半導體公司簡介
美國快捷半導體公司 (Fairchild Semiconductor；紐約證券交易所代號：FCS) 是全球首屈一指的多元市場高性能產品供應商。該公司全力提供先進的功率及介面方案，能滿足現今及未來的電子市場需求。快捷半導體的元件正廣泛用於電腦、通訊、消費類產品、工業及汽車應用等領域。快捷半導體的