IR最佳化型DirectFET MOSFET締造最佳高頻、高電流DC-DC性能
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2004-02-26 00:00
前言：
3款新20V元件符合VRM 10規格，滿足新一代Intel和AMD處理器的功率需求
全球功率半導體及管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 在其DirectFET MOSFET系列中加入3項新的20V N通道元件。它們皆經過最佳化，適用於VRM 10功率系統及新一代Intel和AMD處理器中的高頻、高電流DC-DC轉換器，應用範圍包括高階桌上型電腦及伺服器，以至先進電信和資料通訊系統。
IRF6623具備更強的控制MOSFET性能，元件通態電阻 (RDS(on)) 和閘極電荷(Qg) 的乘積減少30%，體積只是市場上其他高性能20V控制MOSFET一半。此外，在4.5V下RDS(on) 和Qg 的乘積僅為48.4mOhm-nC，Miller電荷 (Qgd) 為4.0nC，可減少開關損耗。
IRF6620最適合35A或以下的同步MOSFET應用，Qg、Qgd 和逆向恢復電荷 (QRR)值極低，RDS(on) 更較市場上其他高性能20V同步MOSFET改善了30%，在10V下的典型RDS(on) 為2.1mOhm (最大為2.7mOhm)。
IRF6609專為高電流 (33A或以上) 的同步MOSFET應用而設計，能夠締造最佳性能。元件的Qg 和Qgd 極低，並具備超低QRR，在10V下的典型RDS(on) 為1.6mOhm (最大為2.0mOhm)。
IR台灣分公司總經理朱文義稱：「DirectFET MOSFET系列現包括20V和30V產品，晶片尺寸範圍更廣，為設計員提供更多選擇以最佳化電路。DirectFET封裝的『金屬罐』結構是性能提升的關鍵。它能減少無晶片式封裝的電阻，實現雙面冷卻。相較於標準的塑料封裝，新封裝具有很多前所未見的優點。」
全新DirectFET MOSFET現已開始供應。詳細規格詳列於IR網站www.irf.com，基本規格如下：
產品編號
封裝
BVDSS
(V)
10V 下典型RDS(on) (mW)
10V 下最大RDS(on) (mW)
