Zetex Semiconductors，日前推出新型ZXTC2045E6元件，結合互補的NPN和PNP電晶體於SOT236封裝中，可滿足電源供應設計中高功率MOSFET與IGBT開關所需的驅動要求。
Zetex亞洲副總裁林博文指出：「這款新型雙極元件可支援高達5A的脈衝電流，並確保閘電容能夠快速的充電和放電，因此大幅提升效率。由於NPN和PNP元件的射極接腳是分開的，設計人員可選擇不同的電阻值，因而能更精確的控制閘極充電和放電週期。」
這款採SOT236封裝雙電晶體的底面積僅9 mm2，板外高度為1.3 mm，可有效降低電路板尺寸並加強功率密度。此外，元件的設定操作電壓為40V，典型增益值為300，因此適用於各種不同的閘級驅動電路。
Zetex亞洲副總裁林博文指出：「這款新型雙極元件可支援高達5A的脈衝電流，並確保閘電容能夠快速的充電和放電，因此大幅提升效率。由於NPN和PNP元件的射極接腳是分開的，設計人員可選擇不同的電阻值，因而能更精確的控制閘極充電和放電週期。」
這款採SOT236封裝雙電晶體的底面積僅9 mm2，板外高度為1.3 mm，可有效降低電路板尺寸並加強功率密度。此外，元件的設定操作電壓為40V，典型增益值為300，因此適用於各種不同的閘級驅動電路。
