類比訊號處理及功率管理方案供應商Zetex Semiconductors，近日推出一系列採用SOT23封裝的中電壓雙極電晶體，可處理高至1.25W的功率耗散。新系列包括7款NPN和6款PNP元件，面積為3 x 2.5毫米，它們可取代體積更大的DPAK、SOT89和SOT223部件，大大提升電路的功率密度。
ZXTN及ZXTP雙極元件的集電極-射極電壓介乎40V至100V，有助建立在汽車、工業和電訊應用中用以驅動電燈、繼電器與螺線管的高效率交換裝置。
由於該系列電晶體能阻擋高至180V的電壓，又可處理高至5A的連續集電極電流，因此能切換高至500W的負載。此外，它們的額定脈衝電流高至12A，所以能以更高速度，驅動電源供應電路中具有更高電容的MOSFET及IGBT。
這些電晶體的飽和電壓十分低，以50V額定ZXTN2031F為例，只有40mV；等效通態電阻也低於其他具有相同封裝尺寸的MOSFET，以100V額定ZXTN2020F為例，只有30mΩ，因此耗散更少熱量，操作溫度更低。
此外，Zetex這些新型高效率雙極電晶體的增益甚高，40V額定ZXTP25040DFH的增益至少達300。它們不需要額外緩衝，也可讓IC直接驅動更大負載。
ZXTN及ZXTP雙極元件的集電極-射極電壓介乎40V至100V，有助建立在汽車、工業和電訊應用中用以驅動電燈、繼電器與螺線管的高效率交換裝置。
由於該系列電晶體能阻擋高至180V的電壓，又可處理高至5A的連續集電極電流，因此能切換高至500W的負載。此外，它們的額定脈衝電流高至12A，所以能以更高速度，驅動電源供應電路中具有更高電容的MOSFET及IGBT。
這些電晶體的飽和電壓十分低，以50V額定ZXTN2031F為例，只有40mV；等效通態電阻也低於其他具有相同封裝尺寸的MOSFET，以100V額定ZXTN2020F為例，只有30mΩ，因此耗散更少熱量，操作溫度更低。
此外，Zetex這些新型高效率雙極電晶體的增益甚高，40V額定ZXTP25040DFH的增益至少達300。它們不需要額外緩衝，也可讓IC直接驅動更大負載。
