意法半導體(ST)推出低損耗1200V IGBT產品系列,可降低日用馬達驅動器的能耗

本文作者:admin       點擊: 2009-10-15 00:00
前言:

商意法半導體推出新系列功率電晶體,可最大限度降低馬達控制電路的兩大能耗來源,減輕家電、HVAC系統以及工業機器等日用設備對環境的影響。STGW30N120KD和STGW40N120KD是兩款低導通損耗的絕緣柵雙極電晶體(IGBT;Insulated Gate Bipolar Transistor),可降低開關損耗。

新推出的IGBT採用意法半導體PowerMESH™製程,可節省能耗,並全面提升效率。更低的開關損耗可允許更高的作業頻率,因而可在功率控制電路中使用尺寸更小、價格更低的元件。此外,新元件在緊密的工業標準TO-247封裝內整合了大多數電路所需的超高速續流二極管(Freewheeling Diode),減少外部元件的數量。

這兩款1200V IGBT能夠承受長達10微秒的短路狀態,可抵抗常見的馬達控制器失效原因,如閘驅動訊號錯誤、接地短路以及馬達相接絕緣(phase-to-phase insulation)故障。透過提高可靠性,STGW30N120KD和STGW40N120KD減少了維修、更換次數以及售後維修服務的需求,以降低終端用戶的使用成本。 

新產品系列的額定作業電壓為1200V,可用於440V或480V的交流線電壓。結合現有的600V低損耗IGBT產品線,新元件將協助意法半導體打造業界最齊全的功率電晶體產品組合。 

STGW30N120KD和STGW40N120KD分別用於30A和40A馬達驅動器。這兩款產品均已量產並開始銷售。 

詳情請參閱意法半導體公司網站:www.st.com/igbt 
 

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