恩智浦半導體宣佈其採用LFPAK封裝的NextPower系列25V和30V MOSFET將增添15款新產品並已開始供貨。這些恩智浦功率MOSFET家族的最新成員在六個關鍵參數方面達到最佳平衡點，並具備業界最低的RDS (on) (25V和30V均為sub-1 mΩ型），是高性能、高可靠性開關應用的理想首選。傳統方法主要著眼於降低RDS (on) 和Qg，而恩智浦NextPower則採用超級接面技術使得低RDS (on)、低Qoss、低Qg(tot) 與Qgd之間的平衡達到最佳化，進而達成強大的開關性能，減少漏極輸出與源極引腳之間的損耗，同時提供傑出的SOA性能。此外，恩智浦LFPAK為最堅固的Power-SO8封裝，尺寸精巧，面積僅5mm x 6mm，可在惡劣環境下提供出色的功率開關功能。
技術聚焦:
• 恩智浦NextPower系列25V和30V MOSFET在六個參數方面展現其優異性能：
o 低RDS (on) : 具備業界最低RDS(on)的Power-SO8封裝產品 ，在SYNC FET或功率OR-ing應用下具有低I2R損耗、傑出性能等特點
o 低Qoss，有利於減少漏極與源極引腳間的損耗，當輸出引腳上出現電壓變化時，亦可降低輸出電容 (Coss) 中的損耗能量
o 低Miller電荷 (Qgd)，有利於減少開關損耗和高頻開關次數
o SOA具備絕佳性能可承受超載和故障條件
o 低柵極電荷 (Qg) 可以減少柵極驅動電路中的損耗
o 出色的額定接點溫度Tj(max)，堅固的Power-SO8 LFPAK封裝為條件惡劣且需要高度可靠性的環境提供保障
• 主要應用領域包括同步降壓穩壓器、DC-DC轉換、穩壓器模組和功率OR-ing
技術聚焦:
• 恩智浦NextPower系列25V和30V MOSFET在六個參數方面展現其優異性能：
o 低RDS (on) : 具備業界最低RDS(on)的Power-SO8封裝產品 ，在SYNC FET或功率OR-ing應用下具有低I2R損耗、傑出性能等特點
o 低Qoss，有利於減少漏極與源極引腳間的損耗，當輸出引腳上出現電壓變化時，亦可降低輸出電容 (Coss) 中的損耗能量
o 低Miller電荷 (Qgd)，有利於減少開關損耗和高頻開關次數
o SOA具備絕佳性能可承受超載和故障條件
o 低柵極電荷 (Qg) 可以減少柵極驅動電路中的損耗
o 出色的額定接點溫度Tj(max)，堅固的Power-SO8 LFPAK封裝為條件惡劣且需要高度可靠性的環境提供保障
• 主要應用領域包括同步降壓穩壓器、DC-DC轉換、穩壓器模組和功率OR-ing
