意法半導體(ST)推出全新功率MOSFET產品,全面提升汽車電氣系統效能

本文作者:admin       點擊: 2011-06-08 00:00
前言:
意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)推出9款全新汽車級功率MOSFET,進一步擴大STripFET™ VI DeepGATE功率MOSFET産品組合,為新一代汽車實現能效、尺寸及成本優勢。

高能效電氣系統對於汽車製造商日益重要。從車窗升降機、雨刷、熱風鼓風機,到引擎控制模組、起動發電機、能源恢複系統,這些均由電氣系統管理,而混合動力汽車則更需要高效的能源管理系統,以最大幅度地延長汽車可開公里數。意法半導體的新款功率MOSFET能夠將電氣系統驅動器和控制器的正常功耗降至最低,從而提升電氣系統的能效;同時還可減少電路産生的熱量,實現尺寸更小、更輕的裝置設備。

全新符合AEC-Q101的30V和40V功率元件系列採用意法半導體先進的STripFET VI DeepGATE技術,擁有極低的導通損耗(conduction loss)與有效晶片尺寸比。這兩款産品擁有3.0 mΩ至12.5 mΩ的低導通損耗,採用工業標準DPAK或D2PAK兩種表面黏著功率封裝,只需用更小的電路板空間。全新功率MOSFETS產品系列包括邏輯準位和標準準位兩種型號。

爲保證新産品達到汽車應用要求的可靠性和穩健性,根據AEC-Q101標準認證的測試條件,所有元件在晶圓製程和成品階段均經過100%雪崩測試(avalanche)。除汽車設備以外,新系列産品還並可提高其它應用的電源和驅動器能效。

主要特性:
• 30V和40V崩潰電壓(breakdown voltage)
• 額定輸出電流 44A至80A
• 標準閥值驅動
• 邏輯準位控制
• -55°C至175°C工作溫度範圍 
• 通過AEC-Q101認證

9款新産品均已量産。

詳情請瀏覽意法半導體公司網站www.st.com/pmos  


電子郵件:look@compotechasia.com

聯繫電話:886-2-27201789       分機請撥:11