快捷半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新的高效N通道MOSFET系列，提供高達8kV ESD (HBM) 的電壓保護，較市場現有元件高出90%。FDS881XNZ系列支援用於電池組保護應用 (如筆記型電腦和手機) 的最新架構。利用快捷半導體的Power Trench® 製程，這些低導通阻抗 (RDS(ON)) MOSFET (包括RDS(ON) 低於5mOhm的FDS8812NZ) 能夠降低傳導損耗及延長寶貴的電池壽命。它們還提供堅固穩健的抗崩潰和抗峰值電流能力，確保電池組在意外的電壓尖峰衝擊下依然保持系統的安全性。
FDS881XNZ系列為設計工程師提供了多種選項，讓他們可根據其電池應用的功率管理和負載開關要求進行選擇。FDS8812NZ (RDS(ON) = 4mOhm) 針對高階筆記型電腦應用，協助設計工程師解決將高階功能整合到筆記型電腦中所面臨的散熱難題。FDS8813NZ (RDS(ON) = 4.5mOhm) 非常適合於帶有15” 以上顯示器的一體化筆記型電腦，而FDS8817NZ (RDS(ON) = 7mOhm) 則通用於中低階產品和小型筆記型電腦。
FDS881XNZ系列的主要優點包括：
低導通阻抗RDS(ON) 解決方案，能提高工作效率及延長電池使用壽命。
整合式ESD保護二極體 (HBM) 提供8kV ESD保護功能。
堅固穩健的抗崩潰和抗峰值電流能力，可耐受意外的電壓尖峰衝擊，避免輸出端出現突發電壓。
FDS881XNZ系列N通道MOSFET系列採用業界標準SO8封裝，是快捷半導體廣泛的電池用MOSFET產品系列的又一重要成員。要瞭解快捷半導體N通道和P通道 MOSFET系列的更多資訊，請訪問網頁：www.fairchildsemi.com/batterymosfets。
FDS881x 系列採用無鉛 (Pb-free) 接腳，潮濕敏感度符合 IPC/JEDEC 標準 J-STD-020 對無鉛迴焊的要求，所有快捷半導體產品均設計符合歐盟的有害物質限用指令 (RoHS)。
FDS881XNZ系列為設計工程師提供了多種選項，讓他們可根據其電池應用的功率管理和負載開關要求進行選擇。FDS8812NZ (RDS(ON) = 4mOhm) 針對高階筆記型電腦應用，協助設計工程師解決將高階功能整合到筆記型電腦中所面臨的散熱難題。FDS8813NZ (RDS(ON) = 4.5mOhm) 非常適合於帶有15” 以上顯示器的一體化筆記型電腦，而FDS8817NZ (RDS(ON) = 7mOhm) 則通用於中低階產品和小型筆記型電腦。
FDS881XNZ系列的主要優點包括：
低導通阻抗RDS(ON) 解決方案，能提高工作效率及延長電池使用壽命。
整合式ESD保護二極體 (HBM) 提供8kV ESD保護功能。
堅固穩健的抗崩潰和抗峰值電流能力，可耐受意外的電壓尖峰衝擊，避免輸出端出現突發電壓。
FDS881XNZ系列N通道MOSFET系列採用業界標準SO8封裝，是快捷半導體廣泛的電池用MOSFET產品系列的又一重要成員。要瞭解快捷半導體N通道和P通道 MOSFET系列的更多資訊，請訪問網頁：
FDS881x 系列採用無鉛 (Pb-free) 接腳，潮濕敏感度符合 IPC/JEDEC 標準 J-STD-020 對無鉛迴焊的要求，所有快捷半導體產品均設計符合歐盟的有害物質限用指令 (RoHS)。
