這家在2007年成立的年輕公司之所以能夠挺過金融風暴而在2011年開春就宣布開發出效能可與市場主流砷化鎵PA匹敵的3G CMOS PA，實力在於該公司的研發團隊是來自原SILICON LABS 開發業界首款2G CMOS PA的設計群，擁有十年以上設計CMOS PA的經驗(後該部門先後歷經NXP,ST併購，最後成為ST-ERICSSON中的一員)。
照片人物:BLACK SAND行銷副總裁JIM NOHRDEN
在全球各地電信營運商熱烈轉入第四代的LTE市場之時，相對應的手機晶片技術也不斷有新進展。在3G手機內部方塊圖中，主要分為三大塊，分別是基頻IC、RF收發器以及RF前端(Front end) 。其中前兩者採CMOS製程已成主流，而RF前端中備受關注的PA(功率放大器)製程技術則仍停留在以GaAs(砷化鎵)製程PA為主的情勢。然而這樣的市場格局或許將會因Black Sand推出CMOS 3G PA 的替代方案而改變。
產品特色
Black Sand Technologies, Inc推出的兩條新3G CMOS RF功率放大器（PA）產品線，大幅提高了行動電話、平板電腦和數據卡(datacard) 的可靠性和資料傳輸率。兩條產品線共包含六款涵蓋多個頻段的獨特功率放大器。 BST34系列的功率放大器是專門設計來取代現有3G砷化鎵(GaAs) RF功率放大器的簡易方案，因此功能與腳位與其完全相容。從砷化鎵轉移至CMOS可使行動裝置製造商獲益於更可靠的供應鏈、更高可靠性及更低成本。
BST35系列具備TruePower™高效能功率檢測器，可提高總輻射功率（TRP）效能達2dB，並可在實際工作環境中降低掉話率，及提高數據傳輸速率。 BST3501是業界第一款將此功能帶入RF前端的晶片。該元件的效能指標可在輸出功率、線性度、效率和雜訊上達到、甚至超越砷化鎵功率放大器IC。
Black Sand行銷副總裁Jim Nohrden表示：「行動裝置製造商正在尋找一項可替代砷化鎵功率放大器的技術，因該技術長久以來具有供應短缺和更高成本結構的問題。 BST34和BST35產品讓客戶能迅速獲得其所需要的 PA技術，以進行超高量能製造。 」
「我們擁有大於所有現有GaAs功率放大器供應商之結合的策略性供應基礎，隨著市場持續採用3G行動裝置，這項優勢將被證明是至關重要的，因為其 PA 數量是 2G 手機的2至3倍。我們的產品將為客戶帶來更高效能，並於2011年提供更可靠的供應來源。」Jim Nohrden接著表示。
技術規格:
BST34和BST35採用 3x3mm 10pin外形封裝。BST34系列產品包括內建的定向耦合器及菊鏈支援、以及整合式的過壓和過溫保護電路。 BST35產品包含Black Sand的TrueDeliveredTM功率針偵測技術，並擁高出砷化鎵功率放大器10倍的100:1 VSWR(駐波比)。
BST34產品線包括：用於 “2100” (1920-1980 MHz)的BST3401，用於PCS Band-2 (1850-1910 MHz) 的BST3402 及用於AWS Band-4 (1710-1755 MHz) 、日本 Band-9 (1749.9 - 1784.9 MHz) 及拉丁美洲Band-10 (1710-1770 MHz) 的BST3404。
BST35產品線包括: 用於“2100” Band-1 (1920-1980 MHz) 的BST3501，用於 PCS Band-2 (1850-1910 MHz) 的BST3502 以及用於 AWS Band-2 (1710-1755 MHz)、 日本 Band-9 (1749.9 - 1784.9 MHz) 及拉丁美洲Band-10 (1710-1770 MHz) 的BST3504。這三款產品均採用 3x3mm 10pin 封裝。
BST3401及BST3501 晶片與評估板將於2月供應。BST3402、BST3502、 BST3404及BST3504 將於2011第二季提供樣品。
Black Sand 台灣經銷夥伴
Black Sand 於2010年12月與富威集團(Rich Power Electronic Devices Co., Ltd.)簽署經銷合作，由其提供台灣和亞太地區正採用Black Sand業界首款CMOS 3G功率放大器客戶之專業業務、經銷與工程支援。
照片人物:BLACK SAND行銷副總裁JIM NOHRDEN
在全球各地電信營運商熱烈轉入第四代的LTE市場之時，相對應的手機晶片技術也不斷有新進展。在3G手機內部方塊圖中，主要分為三大塊，分別是基頻IC、RF收發器以及RF前端(Front end) 。其中前兩者採CMOS製程已成主流，而RF前端中備受關注的PA(功率放大器)製程技術則仍停留在以GaAs(砷化鎵)製程PA為主的情勢。然而這樣的市場格局或許將會因Black Sand推出CMOS 3G PA 的替代方案而改變。
產品特色
Black Sand Technologies, Inc推出的兩條新3G CMOS RF功率放大器（PA）產品線，大幅提高了行動電話、平板電腦和數據卡(datacard) 的可靠性和資料傳輸率。兩條產品線共包含六款涵蓋多個頻段的獨特功率放大器。 BST34系列的功率放大器是專門設計來取代現有3G砷化鎵(GaAs) RF功率放大器的簡易方案，因此功能與腳位與其完全相容。從砷化鎵轉移至CMOS可使行動裝置製造商獲益於更可靠的供應鏈、更高可靠性及更低成本。
BST35系列具備TruePower™高效能功率檢測器，可提高總輻射功率（TRP）效能達2dB，並可在實際工作環境中降低掉話率，及提高數據傳輸速率。 BST3501是業界第一款將此功能帶入RF前端的晶片。該元件的效能指標可在輸出功率、線性度、效率和雜訊上達到、甚至超越砷化鎵功率放大器IC。
Black Sand行銷副總裁Jim Nohrden表示：「行動裝置製造商正在尋找一項可替代砷化鎵功率放大器的技術，因該技術長久以來具有供應短缺和更高成本結構的問題。 BST34和BST35產品讓客戶能迅速獲得其所需要的 PA技術，以進行超高量能製造。 」
「我們擁有大於所有現有GaAs功率放大器供應商之結合的策略性供應基礎，隨著市場持續採用3G行動裝置，這項優勢將被證明是至關重要的，因為其 PA 數量是 2G 手機的2至3倍。我們的產品將為客戶帶來更高效能，並於2011年提供更可靠的供應來源。」Jim Nohrden接著表示。
技術規格:
BST34和BST35採用 3x3mm 10pin外形封裝。BST34系列產品包括內建的定向耦合器及菊鏈支援、以及整合式的過壓和過溫保護電路。 BST35產品包含Black Sand的TrueDeliveredTM功率針偵測技術，並擁高出砷化鎵功率放大器10倍的100:1 VSWR(駐波比)。
BST35產品線包括: 用於“2100” Band-1 (1920-1980 MHz) 的BST3501，用於 PCS Band-2 (1850-1910 MHz) 的BST3502 以及用於 AWS Band-2 (1710-1755 MHz)、 日本 Band-9 (1749.9 - 1784.9 MHz) 及拉丁美洲Band-10 (1710-1770 MHz) 的BST3504。這三款產品均採用 3x3mm 10pin 封裝。
BST3401及BST3501 晶片與評估板將於2月供應。BST3402、BST3502、 BST3404及BST3504 將於2011第二季提供樣品。
Black Sand 台灣經銷夥伴
Black Sand 於2010年12月與富威集團(Rich Power Electronic Devices Co., Ltd.)簽署經銷合作，由其提供台灣和亞太地區正採用Black Sand業界首款CMOS 3G功率放大器客戶之專業業務、經銷與工程支援。
