[Wa-People!] 2011 VLSI 半導體產業盛宴 (二): Intel挑戰22奈米極限

本文作者:admin       點擊: 2011-06-22 00:00
前言:
圖1: Intel邏輯元件技術總監Kelin J. Kuhn發表Intel 往22奈米前進的技術,他們把電晶體都3D立體化了。


Intel技術與製程集團院士暨邏輯元件技術總監Kelin J. Kuhn,為2011 VLSI 半導體產業盛宴,帶來第一場令人期待的演講。大家都好奇,摩爾定律會不會撞牆,IC線寬走到22奈米以下,怎麼辦呢 ?

22奈米級以下CMOS 技術該如何突破? 電晶體的結構可以改一改嗎?Intel 探索了把電晶體結構從平面走向立體的可能性。包括超薄型電晶體結構UTB MOSFET、立體型電晶體製程技(Tri-gate & FinFET),及環繞閘極 (GAA Gate all around )。當Kelin J. Kuhn秀出各種3D立體的元件圖表,眾人目光無不受到吸引。

不過,為了追求小還要更小,於是出現了無法避免的「短通道效應」(Short Channel Effect, SCE),而為了改善「短通道效應」,產業界也紛紛提出各式各樣不同的元件結構因應。最直接的方法是採用Planar, thin body, SOI結構,包括UTB SOI, ET SOI, FD SOI 元件等。

Kuhn博士指出,UTB SOI 元件確實能夠改善「短通道效應」, 對於隨機參雜濃度變異(RDF)也有機會改善。要掌握UTB SOI ,必須克服的挑戰包括外在的電阻、散射、臨界電壓造成量子侷限 ( quantum confinement )改變、誘發應變(strain)及製程上的各種挑戰難題。

更複雜的是多閘場效應電晶體元件(Multiple Gate FET, MuGFET ),包括有FINFET, TRIGATE, PI-GATE, OMEGA-FET, GAA等。

要想維持微縮技術的里程碑不斷向下推進,需要在電子移動 (Mobility)、電阻(resistance)、電容(capacitance)及隨機變化 (random variation) 等關鍵性的挑戰提出創新的解決方案。

為了增加驅動電流效益,晶圓廠過去已經採用的方法之一是,仔細運算在晶圓平面及特殊方向上布置鍺化矽通道,如今,KUHN強調,應變 (Strain)對於先進製程技術向前推動十分關鍵。更異質的微通道材料(如三五族材料III-V及鍺Ge) 以及不同的結晶方向排列(如110, 111),可以拿來跟先進的嵌入式鍺化矽(e-SiGe), 嵌入式碳化矽(e-SiC ) 等金屬閘與金屬接點技術互相評比。其二,傳統的電阻電容,在尺寸微縮技術趨驅動下,更成關鍵課題。

Kuhn博士表示,由於行動通訊產品的需求不斷增加,所以系統單晶片(SOC)製程的重要性也更提高。SOC 製程面臨的挑戰是,不但需要整合數位CMOS,射頻(RF)與類比(Analog)元件,而且這一切還要能夠在成本夠低的前提下完成。

過去,把RF電晶體整合到CMOS製程,技術上是很挑戰的。最主要的原因是,矽CMOS在截止頻率(cut-off frequency , fT)上的表現,遠遠不如在電子遷移率上表現突出的三五族(如砷化鎵GaAs) ,這等於把兩個不同特性的材質硬要整合在一起一樣的困難。

不過,這樣的困境,目前已經有所改善。Kuhn博士表示,近年來摩爾定律的微縮趨勢,已經使得矽CMOS得以展現跟三五族差不多,甚至更好的Ft表現,也就是異質整合已經沒有太大的問題,這個說法,又是讓眾人眼睛為之一亮。

圖2:台積電研發資深副總經理蔣尚義 ( Shang-Yi Chiang )
 
台積電研發資深副總經理蔣尚義 ( Shang-Yi Chiang ) 以未來IC製程的挑戰為題,緊接在Intel 的Kuhn博士後發表演說。

蔣尚義強調,摩爾定律走了超過五十年,現在的確是來到一個關鍵的十字路口。如今,製程的挑戰不僅來自光學微影技術,也包括新的材料,元件結構,以及更複雜的ic線路設計等技術問題。

身為IC專業製造者,台積電一方面要持續投資,掌握IC電晶體結構從平面走向立體的可行性,但另一方面,也必須考量經濟效益。

「毫無疑問地,我們的任務是艱鉅的」,蔣尚義說。他因此呼籲產業界多多合作,共利共榮。


 

電子郵件:look@compotechasia.com

聯繫電話:886-2-27201789       分機請撥:11