創造儲存的無限機會—非揮發性記憶體再進化

本文作者:admin       點擊: 2006-11-13 00:00
前言:
摩爾定律偉大之處在於它總結並預言了半導體產業的發展規律,而當製程技術步隨摩爾定律進入深次微米時代之後卻發現,在現有的材料和技術的基礎之上要維護這條定律的代價已經變得越來越“恐怖”。

具體到記憶體這個行業,一方面是市場對非揮發性記憶體要求更快更可靠容量更大的增長;另一方面卻又是隱藏於產品身後呈指數增加的成本。當傳統的CMOS技術在摩爾定律這條路越走越窄之時,廠商開始另闢蹊徑開始關注新的技術和新的材料。MRAM、FRAM、PRAM相繼被視為極具潛力的新秀記憶體技術,有些人甚至開始打起“通用型記憶體”的主意。而作為目前應用最廣的Flash,NOR架構與NAND架構涇渭分明、多年爭戰的局面也終被打破。

那麼究竟這非揮發性記憶體市場將會如何演變?新秀成員是否真具有“一統江湖”的能力?Flash市場究竟現況與前景如何?本期特輯都將一一介紹。


成長強勁的NAND Flash產業

MSYSTEMS X4技術─實現每格4位元NAND的不可能任務

Spansion以MirrorBit架構改寫Flash發展歷程

誰會成為萬能的“通用型記憶體”?

將磁性結構整合到標準CMOS製程 飛思卡爾讓讀寫快、壽命長的MRAM更上一層樓

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