ARM發表首款支援台積電90奈米製程之可量產DDR1與DDR2高速動態記憶體介面IP

本文作者:admin       點擊: 2007-01-19 00:00
前言:
       ARM於日前宣佈其Artisan(Embedded image moved to file: pic19438.jpg)實體層IP系列中之ARM(Embedded  image  moved to file: pic22197.jpg)VelocityDDR1與DDR2高速動態記憶體介面,支援台積電的90nm製程。ARM  Velocity DDR1/2高速動態記憶體介面為首款通過台積電IP品質測試的可量產90奈米IP方案。


       台積電設計服務行銷處副處長吳國雄表示:「我們致力與IP夥伴廠商合作,以便為客戶提供高品質的IP方案,協助他們能在最短的時間內開發出尖端設計。在我們對IP檢驗的嚴苛標準要求下,ARM  Velocity DDR1/2高速動態記憶體介面率先通過了我們的90奈米製程晶片驗證。」



       ARM  90奈米Velocity DDR1/2高速動態記憶體介面解決方案,包括多組可編程的訊號終端電阻(on-die    termination,   ODT)、輸出趨動器阻抗控制功能(output driver impedance control),並配搭所有運用ARM先進動態校正電路,以達高度阻抗精準度的終端功能。上述兩項特點均可改進整體訊號完整性及全部可用的時序,俾使高速系統設計能達到快速的時序收斂。90奈米Velocity  DDR1/2高速動態記憶體介面,提供最佳化解決方案,使個人電腦、網路設備及伺服器等各種需要同步動態隨機存儲器(Synchronous  DRAM, SDRAM)的產品,能夠擴充功率與效能。這些可支援DDR1與DDR2的雙倍資料率解決方案,可以達到最快800 Mbps的資料傳輸率,並在SDRAM元件及記憶體控制器之間建置完整的傳輸介面。



       ARM實體層IP部門總經理Brent  Dichter表示:「ARM致力提供生產高品質,且經市場驗證的IP,以協助客戶成功地設計出符合需求的SoC。通過台積電的IP品質認證,Velocity DDR1/2高速動態記憶體介面解決方案充分證明了ARM Physical IP的品質,並為雙方的客戶帶來一款值得信賴的SoC解決方案。」



   供應時程



       採用台積電的90奈米製程的ARM  Velocity DDR1/2高速動態記憶體介面解決方案,現已開始供應。開發業者可至ARM網站(www.arm.com),免費下載採用台積電90奈米製程的DDR1/2前端解決方案。DDR後端解決方案則可向ARM台灣辦公室洽詢,洽詢專線02-26271681 Alan Wang,或以email至alan.wang@arm.com信箱。



   關於ARM(安謀國際科技股份有限公司)


       ARM的先進技術為市面上各種先進數位產品的重要核心,其應用領域範圍廣闊,包括無線通訊、網路、消費性娛樂、影像、汽車、安全及儲存等領域。ARM的完整產品線包括16/32位元RISC微處理器、資料引擎、繪圖處理器、數位資料庫、嵌入式記憶體、週邊設備、軟體及開發工具。結合陣容龐大的合作夥伴社群,為客戶提供完整、快速及可信賴的解決方案。如需更多有關ARM的資訊,敬請瀏覽該公司網站http://www.arm.com。



   

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