應用材料公司推出兆位元時代的突破性蝕刻技術

應用材料公司今日推出最先進的蝕刻技術 ─ Applied Centura® Avatar™介電層蝕刻系統，這項突破性的系統是解決建立3D記憶體架構的嚴峻挑戰；3D記憶體架構可提供高密度兆位元儲存容量，為未來資料密集型行動裝置所必需。

 

Avatar系統為全新設計，可在3D NAND記憶體陣列進行既深且窄的蝕刻，這些3D陣列是令人振奮的新型快閃記憶體裝置，有多達64層垂直建立的記憶單元，可在小面積內建立極高的位元密度。

Avatar系統可在複合薄膜堆疊層中進行孔洞性蝕刻及溝槽性蝕刻，深寬比可高達80:1，以形狀比例來形容的話，美國華盛頓紀念碑的深寬比是10:1高(台北101大樓約9:1)。此外，該系統是第一款具備能同時蝕刻深度變化落差極大的特徵結構功能的系統，對於製造連接外界與各層記憶單元的「階梯式」接觸結構非常重要。

在7月10日到12日的美西國際半導體展2012展期間，應用材料公司將展出Avatar系統等數種全新晶片製造技術，在展覽前或展覽期間，若要與應用材料公司進一步聯繫，請造訪 www.appliedmaterials.com/semicon-west-2012。

應用材料公司是全球前五百大公司之一，專事製造先進的半導體、平面顯示、太陽光電的各項創新性設備、服務及軟體產品。應用材料公司的創新技術可協助諸如智慧型手機、平面電視及太陽能電池更具成本效益，更方便使用。應用材料公司運用今日的創新，成就企業明日的商業應用。查詢應用材料相關訊息，請至 http://www.appliedmaterials.com/。