英飛凌推出TO 247-4封裝CoolMOS MOSFET

2013 年 5 月 13 日--英飛凌科技股份有限公司 (FSE：IFX / OTCQX：IFNNY) 今日推出 TO 247-4 針腳封裝的CoolMOS^TM MOSFET。新增的第四針腳係做為 Kelvin 源極，能有效減少功率 MOSFET 源極接合線的寄生電感，這可使各種硬式切換拓樸 (例如連續導通模式功率因數控制器 (CCM PFC)、升壓與雙電晶體順向式 (TTF))，達到最佳效率。

 

新款封裝可減少多達 8% 的切換損耗，進而提高效率，相當於在 CCM PFC (以 1.2KW 運作) 的 MOSFET 上降低 5W 的功率消耗，相較於採用標準 3 針腳 TO 247 封裝的相同 MOSFET，其全負載效率高出了 0.4%。目前有英飛凌與意法半導體兩家公司皆推出新款 TO 247- 4針腳封裝產品，為客戶提供高品質的供貨來源。

英飛凌高壓功率轉換產品部門主管 Jan-Willem Reynaerts 表示：「新一代超接面 MOSFET如英飛凌新款 CoolMOS C7，能夠在幾納秒內，切換數百伏特的電壓與數十安培的電流。這種封裝能完全發揮晶片技術的效益，是打造適合系統環境的要素，而這種環境是讓節能效率更上層樓的關鍵。英飛凌和意法半導體推出這款高壓 MOSFET的 TO 247- 4針腳封裝，為節能效果立下嶄新標竿。」

TO 247-4 配置 Kelvin 源極的另一項好處，就是新的針腳配置 - 在閘極與汲極間的感應源極，讓 PCB 的佈線配置變得易於使用，可減少汲極與閘極之間的耦合，這項問題經常會造成關斷時閘極振盪的汲源電壓 (V_DS) 高 dv/dt 率。此外，汲極與源極間的沿面距離增加，也提高了系統穩定性。這種新的封裝經過最佳化，適合伺服器、電信和太陽能等高功率應用。

CoolMOS C7 – 英飛凌最新一代的超接面功率電晶體（已於稍早推出），將成為第一款採用 TO 247-4 針腳封裝的 MOSFET 系列產品。

上市時間
TO 247-4 封裝的樣品現已推出，將於 2013 年第三季開始量產。

有關英飛凌最新 TO 247-4 封裝的詳細資訊，請瀏覽 www.infineon.com/c7

關於英飛凌

英飛凌 (Infineon Technologies AG)總部位於德國紐必堡(Neubiberg)，提供各式半導體和系統方案，以因應現今社會的三大挑戰，包括能源效率 (energy efficiency)、移動性 (mobility)與安全性(security)。2012計年度(截至9月底)營收為39億歐元，全球員工約為26,700名。英飛凌於德國法蘭克福證券交易所上市(交易代碼：IFX)，並於美國櫃檯買賣中心OTCQX International Premier 掛牌(交易代碼：IFNNY)。